【摘 要】
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我们在 4.2—300 K的温区对 Ge.Si.GaAs的p-n结正向压降与温度的关系进行了实验研究,发现了两个有普遍性的规律:(1)随着温度的降低,所有的Ge,Si,GaAs二极管的正向压降与温度
【机 构】
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第一机械工业部机械工业自动化研究所,第一机械工业部机械工业自动化研究所
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我们在 4.2—300 K的温区对 Ge.Si.GaAs的p-n结正向压降与温度的关系进行了实验研究,发现了两个有普遍性的规律:(1)随着温度的降低,所有的Ge,Si,GaAs二极管的正向压降与温度关系曲线都存在一个突变点,低于突变温度之后,二极管正向压降随着温度的降低急剧增高,呈单晶热敏电阻特?
In the temperature range of 4.2-300 K, the relationship between the temperature drop and the forward voltage drop of pn junction of Ge.Si.GaAs was studied and two general laws were found: (1) With the decrease of temperature, All of the Ge, Si, GaAs diode forward voltage drop and the temperature curve there is a mutation point, below the mutation temperature, the diode forward voltage drop sharply increased with the decrease of the temperature was single crystal thermistor?
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