MOS结构低温负偏压温度不稳定性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhang_250

【摘要】

：

本文报道了在氧等离子体中暴露过的热生长氧化硅ＭＯＳ结构，置于－１７０至１００℃的环境中，经受－０．３至－１０ＭＶ／ｃｍ电场作用１ｍｓ至１００ｓ的时效处理后，仍然表现出不稳定性的实验结果。１至１０ｍｓ的时效时间是常负偏压温度不稳定性难度

【作者】

：

陆德仁朱德光

【机构】

：

中国科学院上海冶金研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1994年4期

【关键词】

：

二氧化硅 MOS结构偏压温度不稳定 StabilityThermal effects

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本文报道了在氧等离子体中暴露过的热生长氧化硅ＭＯＳ结构，置于－１７０至１００℃的环境中，经受－０．３至－１０ＭＶ／ｃｍ电场作用１ｍｓ至１００ｓ的时效处理后，仍然表现出不稳定性的实验结果。１至１０ｍｓ的时效时间是常负偏压温度不稳定性难度时间的几百，乃于几十万分之一，用这样短的低温负偏压应力，研究了光照对ＭＯＳ结构负偏压温度不稳定性的影响，实验与预想一致，Ｎ型ＭＯＳ结构应力处理时，若无光照，时效时间短

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