MOS结构相关论文
位移传感器涉及到半导体、计算机和机械工程等一系列的交叉学科,其在信息科技领域中扮演着越来越重要的作用,在测量和自控领域有着......
硅、锗MOS结构是硅基和锗基半导体器件的基本结构单元,作为集成电路基本器件单元的MOSFET和CMOS中的栅区就是典型的MOS结构。MOS结......
InAs/AlSbHEMT具有高电子迁移率,高电子饱和漂移速度,高2DEG面密度。这些特点使它成为了高速,低功耗,以及低噪声应用最具竞争力的......
微电子学在当今新技术革命中占有核心地位，大规模集成电路的普遍使用既是微电子学发展的重要成果，也是其重要标志。然而随着器件尺寸......
超大规模集成电路的迅速发展,导致器件的特征尺寸在不断缩短,当其特征尺寸缩小到65nm以下或更小时,传统的SiO2栅介质厚度需要低于1......
研究了镍纳米晶镶嵌在MOS(金属—氧化物一半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性.制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶.采用......
通过应用一种新的模型来进行电学测试和参数提取,可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及......
基于界面陷阱的定义,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它......
基于一阶速率方程,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为.通过对应力电流的拟合,发现存在三类缺陷产生的前身.更进一步的统计实......
金属-二氧化硅-半导体（MOS）结构对于SiO2-Si界面非常敏感，能够方便地反映出氧化层电荷、界面态密度等参数。为了研究MOS结构的电子辐......
在分析已有的半导体表面产生区宽度模型的基础上，提出了可用于产生寿命直接计算且精度较高的产生区宽度新模型，它也可以看作是对Zerb......
利用电子顺磁共振(EPR)技术测量了(100)晶向硅衬底材料上制作的MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁(EPR)吸收谱,对比了电子......
采用低压MOCVD法在(111)取向硅基上制备了TiO2薄膜代替通常MOS结构的SiO2,并测量了TiO2薄膜的介电常数、表面固定电荷密度和电阻率......
利用MEMS技术，在硅平面上经过热氧化、掺杂、溅射、光刻、清洗等工艺，制成MOS结构的氨敏传感器，并将双加热器和测温器集成于一体．该传......
为了及时、直接分析PCM参数异常及电路失效原因,我们在标准参数测试系统(如HP4062,Ag 4070系列)上开发了MOS C-V测试分析功能.鉴于......
在研究SiC MOS表面空间电荷区杂质不完全离化的过程中引入了Frenkel-Pool效应,并建立了在电场作用下SiC杂质离化的新模型.基于对一......
MOS结构高频C-V(电容-电压)特性测量是检测MOS器件制作工艺的重要手段.本文阐述了用高频检测法测量MOS电容的原理,介绍了用变频技......
介绍了一种新型的半导体电致发光器件并讨论了提高其发射效率所采取的措施...
通过数值求解整个势垒的薛定谔方程，发现FN电流公式中的B因子强烈依赖势垒的转变区的宽度，而C因子则弱依赖于势垒的转烃区的宽度，给出......
为了研究近红外激光对图像传感器的干扰机理,利用波长为1064nm的连续激光辐照黑白电荷耦合器件相机,观察激光对黑白相机的干扰现象......
利用电荷泵技术研究了 4nmpMOSFET的热载流子应力下氧化层陷阱电荷的产生行为 .首先 ,对于不同沟道长度下的热载流子退化 ,通过直......
基于一阶速率方程 ,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为 .通过对应力电流的拟合 ,发现存在三类缺陷产生的前身 .更进一步的统......
ZnO材料由于具有宽带隙(3.37 eV),大的激子束缚能(60 meV)等优点,在紫外发光二极管、半导体激光器等方面具有广阔的应用前景。针对......
本文简要地分析了激光与ＭＯＳ结构ＣＣＤ器件相互作用全过程，提出了该破坏过程中的几种损伤阈值。在进行了实际测试的基础上，首次得到了Ｑ开关ＹＡＧ激光......
在理论分析的基础上，设计制作了５００Ｖ／１１ＡＶＤＭＯＳＦＥＴ芯片，并且进行了失效分析，从而进一步解决了设计和工艺中存在的问题，提高了成品率．最后指出了今后努力的......
摩尔定律问世40多年以来,半导体制造工艺基本按照该定律在飞速地发展中,由于器件尺寸的不断减小引入新的问题和挑战,传统的依靠等......
本工作采用热氮化和热退火工艺,分别在N2O和NH3气氛中制备了薄至几个纳米的SiOxNy薄膜。利用α—台阶仪测量了SiOxNy薄膜的厚度,实......
近年来新兴的碳化硅（SiC）半导体材料是第三代宽禁带化合物半导体材料的代表之一。它是唯一能够直接热氧化生长氧化层的化合物半导体，......
基于氧化层空穴俘获和质子诱导界面陷阱电荷形成物理机制的分析,分别建立了MOS结构电离辐射诱导氧化层陷阱电荷密度、界面陷阱电荷......
本文从理论上分析了薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系。为设计薄膜MOS/SOI器件引进了一个新的参数──薄膜整体反型临界厚......
