界面态密度相关论文
SiC MOSFET是电力电子器件的重要发展方向。但由于SiC MOSFET的界面处存在较高的界面态密度,导致器件的沟道迁移率较低,导通电阻较......
硅基CMOS器件按照摩尔定律已经持续等比缩小了几十年,其性能不断提升、成本不断降低,极大地推动了电子信息技术的发展。然而随着器......
本文研究了聚苯乙烯磺酸(PSS)有机薄膜与无机材料界面存储性能。实验结果表明了这种有机/无机界面中存在记忆存储效应,有望应用于......
鳍式场效应晶体管（FinFET）是目前半导体行业中16/14技术节点中的主流器件结构。然而,随着晶体管器件尺寸的不断缩小,硅基FinFET技术......
随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅......
采用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了多组分Zn O基陶瓷薄膜,利用Nd∶YAG激光器对多组分Zn O基陶瓷薄膜进行了激光冲击处理,......
在不同基片温度(RT、300、400、500和600℃)下,采用射频磁控溅射法制备了ZnO薄膜和BZN薄膜。研究表明,所制备的BZN薄膜拥有非晶态......
由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,......
Ge/Si异质键合技术作为一种新型的通用材料制备工艺,在制备高质量Si基Ge薄膜方面展现出巨大的潜力,是研制高性能Ge/Si光电器件的备......
Cu2ZnSnS4(简称CZTS)基薄膜太阳电池因其具有优异性能,并含有地球中含量丰富元素Zn,Sn,因此引起了越来越多研究者的重视。CZTS薄膜......
4H-SiC MOSFET具有开关频率高、功率密度大、耐高温、抗辐照等优点，在军用和民用领域前景广阔。但由于4H-SiC/SiO2界面态密度高，导致......
对形成钛酸钡系半导瓷PTCR效应的界面态进行了探讨,分析了在居里点以上由于界面态和介电常数的共同作用引起的材料电阻率猛增几个......
在SiO2/Si(P++)衬底上制备了多层MoS2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec......
金属-二氧化硅-半导体（MOS）结构对于SiO2-Si界面非常敏感，能够方便地反映出氧化层电荷、界面态密度等参数。为了研究MOS结构的电子辐......
通过对非晶硅/晶体硅（a-Si/c-Si）异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a......
Ⅲ—Ⅴ族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义，然而，对于键合界面的电学性质仍然研究较少。采用热电子发射理......
为了研究SiC/SiO2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产......
采用磁控溅射法外延生长（100）Nb∶SrTiO3/（110）ZnO异质结。施加磁场前、后均观测到典型的整流特性,但施加磁场后的整流效应显著增强。......
本文采用YON界面钝化层来改善HfO2栅介质Ge metal-oxide-semiconductor（MOS）器件的界面质量和电特性.比较研究了两种不同的YON制备方......
采用干O2+CHCCl3(TCE)氧化并进干/湿NO退火工艺生长6H-SiC MOS器件栅介质,研究了SiO2/SiC界面特性.结果表明,NO退火进一步降低了Si......
降低SiO2／SiC界面态密度是SiCMOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体处理SiO2／SiC界面，制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧......
降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界......
用阳极氧化的方法在InSb衬底上生长氧化膜,并在阳极氧化膜上镀Cr/Au电极以制备MOS器件,通过分析77 K时MOS器件C-V特性,得出InSb-阳......
采用激光分子束外延法在Si（111）衬底上制备出沿c轴取向的AlN薄膜,在此基础上制备了Au/AlN/Si金属-绝缘体-半导体（MIS）结构。研究了结构......
采用新颖的干O2+CHCCl3(TCE)氧化工艺,制备了P型和N型6H-SiC MOS电容器,并与常规热氧化工艺以及氧化加NO退火工艺进行了对比实验.......
为了研究不同退火温度对Y2O3/Si界面电学特性的影响,对Y2O3/Si界面做快速热退火处理。用C-V和I-V方法对Al/Y2O3/Si/Al MOS电容进行......
随着CMOS器件特征尺寸缩小到10 nm工艺节点,Si基MOSFET已接近其物理极限。由于Ge的高空穴迁移率、Ⅲ-Ⅴ族材料的高电子迁移率,将高......
本文较全面地介绍ＳＤＢ／ＳＯＩ技术，其中包括热键合机理和工艺、硅片减薄技术的机理和工艺以及ＳＯＩ材料的质量检验和分析。......
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使用感应耦合等离子体化学气相沉积（Inductively coupled plasma chemical vapor deposition,ICPCVD）方法在GaN上沉积SiOx薄膜,生长......
宽带隙半导体碳化硅(SiC)具有高热导率、高电子饱和漂移速度以及大的临界击穿场强,使得其有望成为大功率电力电子器件的首选材料。......
摩尔定律预测硅材料CMOS器件特征尺寸按比例缩小已经接近其物理极限,InGaAs基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)具有沟道材......
本工作设计了近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的器件结构,并采用Silvaco-TCAD对器件主要性能参数(包括光谱响应、暗电流等)进行模......
文中从化学结构和官能团特性推出了卤元素Si-SiO_2系统中可动离子钝化的模型和氢离子存在状态,满意地解释了有关各种钝化现象。
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化合物半导体材料Hg1-xCdxTe凭借其禁带宽度可调、波段覆盖整个红外波段、量子效率高等优点，已成为红外探测器制备最主要的材料。但......
本文利用电子束刻蚀和真空蒸镀法,在单根氧化锌纳米带和SiO2/Si片上,制备了金纳米电极,采用四端法对氧化锌纳米带的电流-电压(I-V)......
从理论上计算出GaAs/Si异质结在Si的(211)面上界面态密度最小,故GaAs在Si(211)面上生长晶格失配度较小.同时,为了缓解晶格失配,我......
半导体表面态的严重问题是表面沾污。本文总结了表面沾污的主要来源,杂质类型,然后从理论上分析了表面沾污引起半导体器件质量退化......
本实验首先测量了N型、(111)面、掺Te2×10~(15)cm~(-3)InSb晶片的机械损伤层,然后用阳极氧化等方法将其做成MOS结构,测量和分析其......
报道了以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）为源，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术在ＩｎＰ表面低温生长ＳｉＯ２钝化膜。对ＳｉＯ２／ＩｎＰ界面态进行了Ｘ射线光谱（ＸＰＳ）分析和Ｃ－Ｖ特性研究......
当MOSFET特征尺寸缩小到10纳米节点后,基于硅的CMOS技术将趋于理论极限,而高迁移率沟道材料(如Ge和Ⅲ-Ⅴ族半导体)最有可能替代应......
本文用电子辐照的方法在n型InP中引入缺陷,并以深能级瞬态谱为基础,结合多种实验方法和理论计算,对缺陷的结构作了较为系统的研究......
近些年,以薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFTs)液晶显示器为代表的新一代平板显示器已经成为信息产业的重要发展方向之一。然......
在高效晶体硅电池中,目前国内外研究热点是HIT电池和TOPCon电池,它们分别采用本征氢化非晶体硅/掺杂非晶体硅和氧化硅/掺杂多晶体......
随着集成电路的发展,MOS器件持续等比缩小,Si基MOS器件已经逐渐接近其物理极限,而Ge材料由于比Si具有更高的电子和空穴迁移率,成为......
