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对于10个周期的A1As／GaAs超晶格和25个周期的GaAs／Ga0.92In0．08As超晶格，在室温下进行0．28MeV的Zn^＋注入，注入剂量为5×10^13～5×10^14cm^-2。通过拉曼光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结果表明：在所选用的注入剂量下，由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非驰豫应变值0．038，说明该注入条件下，注入区的结晶态仍然保持得比较好。在较高注入剂量下应变达到饱和，说明缺陷的产生和复合达到了平衡，从而形成了均衡的