论文部分内容阅读
<正> （BiSmY）3（FeGa）5O（12）磁性石榴石单晶薄膜由正规的液相外延法,即水平浸渍和100r/m的转速,生长于（111）钇镓石榴石单晶基片上。生长应用的助熔剂系统为 Bi2O3—PbO—B2O3。在过冷度5—40℃的范围内成功地制备了2—15μm 厚度的单晶外延薄膜。外延生长的（BiSmY）3（FeGa）5O12与（BiY）3（FeGa）5O12相比,它们的生长速度与过冷度之间都呈