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期刊论文
SiGe HBT的二维数值模拟分析设计
SiGe HBT的二维数值模拟分析设计
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shushuclover1
【摘 要】
:
采用适合于亚微米器件模拟的流体动力学模型(HDM),对SiGe HBT的亚微米器件模拟软件进行了设计.在SMDS 1.0模拟软件[1]的基础之上,软件的设计仍采用面向对象技术,因而该软件仍
【作 者】
:
杨廉峰
吴金
刘其贵
夏君
魏同立
【机 构】
:
东南大学微电子中心
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
2001年3期
【关键词】
:
异质结双极晶体管
器件模拟
锗化硅
面向对象
SiGe HBT device simula tion software design object-orient
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采用适合于亚微米器件模拟的流体动力学模型(HDM),对SiGe HBT的亚微米器件模拟软件进行了设计.在SMDS 1.0模拟软件[1]的基础之上,软件的设计仍采用面向对象技术,因而该软件仍将保持良好的可扩展性等特点,并可简单扩展应用于其他亚微米器件的模拟.
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