【摘 要】
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本文报道用As离子束混合形成WSi2的结构和电性质的研究结果。指出在衬底温度350℃下注入,WSi2的形成温度可大大降低.WSi2薄膜电阻率随后退火温度的变化与微结构有关.淀积薄膜
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所
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本文报道用As离子束混合形成WSi2的结构和电性质的研究结果。指出在衬底温度350℃下注入,WSi2的形成温度可大大降低.WSi2薄膜电阻率随后退火温度的变化与微结构有关.淀积薄膜过程中引入的氧杂质限止晶粒生长,影响WSi2薄膜的电阻率.观察到退火过程中氧杂质和注入As离子的再分布和严重丢失.进一步讨论了离子束混合形成硅化物的机理.
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