【摘 要】
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设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构，采用分子柬外延进行激光器材料的外延生长，材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射／减反射膜、焊装等工艺，制作成条宽200pm
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(60976044);吉林省科技厅项目(20111810)
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设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构，采用分子柬外延进行激光器材料的外延生长，材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射／减反射膜、焊装等工艺，制作成条宽200pm、腔长800μm的半导体激光器。两隧道结激光器在脉冲宽度100ns，重复频率10kHz，30A工作电流下输出功率达到80w，峰值发射波长为905．6nm，器件的阈值电流为0．8A，水平和垂直方向的发散角分别为7．8°和25°。
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