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<正>IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片,并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。IBM表示,使用SOI技术可使芯片性能提高30%,功耗降低40%。IBM还表示,基于SOI技术的嵌入式DRAM每
IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片
【摘 要】
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<正>IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片,并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。IBM表示,使用SOI技术可使芯片性能提高30%,功耗降低4
【出 处】
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国防制造技术
【发表日期】
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2009年05期
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