化学溶液沉积法相关论文
氧化铪(HfO2)基铁电薄膜具有与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容、特征尺寸微缩能力强、制备工艺成熟等特点。作为一种新型铁电材料......
铁电材料的光伏(Ferroelectric Photovoltaic,FEPV)特性及电阻随机存储(Resistive Switching,RS)特性是当今铁电材料研究领域的两大热......
近年来,随着微电子技术的发展和高度集成化的趋势,铁电薄膜的制备、结构、性能及其应用已成为国际上新材料研究十分活跃的领域。同......
铁电存储器(FeRAM)与传统的EEPROM和FLASH存储器相比具有操作电压低、功耗低、存储密度大、读写时间短等优点,被认为是最具潜力的......
铁电薄膜因其具有独特的铁电性、压电性、介电性、热释电性以及非线性光学等性能,在现代微电子、微机电系统(MEMS)、信息存储等方面......
多铁性复合材料由于具有铁电、铁磁或铁弹响应,同时其磁电耦合效应也被大量的研究。单相多铁材料Bi Fe O3因其能在室温下同时表现......
第二代高温超导带材材料REBa2Cu3Ox(简写成REBCO,RE为钇或镧系元素),由于其优良的本征电磁特性,尤其是其在高磁场下优良的载流能力,......
在近几十年来,铁电材料因其具有铁电、压电、热释电等一系列的性质而被广泛的应用于微电子器件中。目前市场上广泛应用的铁电材料......
本论文采用化学溶液沉积法(CSD)制备稀土掺杂钛酸铋(BLnT)铁电薄膜,研究了这类薄膜材料的铁电、介电和光学透过率等性能,还探索了铕......
在基底上高度有序生长的ZnO纳米棒阵列用在短波激光器、染料敏化太阳能电池等光电器件中,在提高器件性能方面有很广阔的前景,因而......
铌酸钾钠(KNN)基压电铁电陶瓷材料是一类无铅环保型材料,其同时具有居里温度高、压电常数和机电耦合系数较大等优点,被认为是极有可......
利用化学溶液沉积法制备了CdSe纳晶薄膜,并用透射电子显微镜和扫描电子显微镜的EDS对其形貌和化学组成进行了表征。对CdSe纳晶薄膜......
本文采用化学溶液沉积 (CSD)工艺在Si(10 0 )衬底上制备了Bi4 Ti3O12 铁电薄膜 ,这种薄膜的X射线衍射 (XRD)结果显示其具有较好的......
采用高分子辅助的化学溶液沉积法,通过720~800℃之间进行烧结成相,分别在氩气和空气中SrTiO3(STO)单晶基底上沉积得到织构良好的SrZr03(S......
ZnO一维纳米材料具有特殊的结构与物理性能,其成功合成不仅为人们探索小尺度材料的量子效应及开发纳米光电器件提供宝贵的研究材料......
采用化学溶液沉积法在(100)Si,SiO2/Si,(100)Al2O3,(100)MgO,(100)SrTiO3(STO),(100)ZrO2等衬底上制备了LaNiO3(LNO)薄膜,研究了热......
采用化学溶液沉积法在Si(001)衬底上制备Ni0.7Zn0.3Fe2O4铁氧体薄膜,XRD谱表明样品具有单相的尖晶石结构;扫描电子显微镜结果表明样......
报道了用化学溶液沉积法采用价格低廉的原料在电阻率为6~9 Ω·cm的n型Si(100)衬底上生长Bi4Ti3O12铁电薄膜,并对薄膜的性质进行......
用钇、钡、铜的环烷酸盐溶液为原料,采用化学溶液沉积法在LaAlO3(001)衬底上制备了YBa2Cu3O7 超导薄膜.X射线衍射分析表明薄膜主要......
采用化学溶液沉积(CBD)法在3种不同衬底上生长ZnO纳米棒阵列,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL......
根据镧、铜及锰盐在不同溶剂中的溶解性。选择合适的溶剂及镧、铜及锰盐为前驱体,配制成前驱溶液进行润湿性、稳定性及不同衬底热处......
通过化学溶液沉积法在氧化铟锡(ITO)/导电玻璃上生长了BiFeO,多晶薄膜.利用x射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱分析仪......
制备了[(n—C4H9)4N]2[W6O19]、过氧钨酸衍生物(APTA)和[(n-C8H17)2NH2]2[W4O13]3种有机钨盐,研究了这几种盐在不同溶剂中的溶解性、溶液......
为制得性能良好的涂层导体用La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)缓冲层薄膜、研究LSMO薄膜的低磁场磁电阻效应,利用高分子辅助化学溶液沉积法,在......
采用化学溶液沉积法,以硝酸铋和钛酸四丁酯为原料成功地制备了 Bi2Ti2O7介质膜。制膜过 程简单,成本低廉,得到的薄膜具有良好的绝缘性......
采用化学溶液沉积法在ITO基片上制备不同退火温度的掺镧钛酸铋Bi1.6La0.4Ti2O7(BLT)薄膜。研究了其结构、介电性能、漏电流密度与外......
采用化学溶液沉积法在 ITO 玻璃基片上制备铁酸铋 BiFeO3薄膜。薄膜呈纯钙钛矿结构,无杂相生成。此外,薄膜表面光滑致密、没有微裂痕......
为了解决乙醇钽、醋酸锶、硝酸铋在乙二醇中的溶解问题,分别以醋酸、乙醇胺、吡啶、甘露醇作为络合剂,对比研究了4种络合剂对溶液......
采用化学溶液沉积法在石英衬底上制备了Bi3.15Eu0.85Ti3O12(BEuT)铁电薄膜,研究了BEuT薄膜的结构和光学性能。XRD结果表明,不同温度......
通过在壳聚糖(CS)溶液里掺入乙酸锌制备了Zn^2+/CS复合膜,并采用化学溶液沉积法在Zn^2+/CS复合膜上生长了氧化锌(ZnO).通过FTIR,XRD,AFM和SEM表......
利用化学溶液沉积法,在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上和700℃条件下分别制备了Nd和(Al,Sc)共掺杂的钛酸铋薄膜(Bi3.15,Nd0.85)(Ti3-x(Alx,scx))O12[记做B......
采用化学溶液沉积法制备了一系列不同厚度的具有上转换特性的电子俘获材料ZnS:Cu,Pb,Mn薄膜,利用短波红外激光及双通道功率计测试了......
采用化学溶液沉积法在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上制备钛酸铅钡Pb0.5Ba0.5TiO3(PBT)薄膜。薄膜呈纯钙钛矿结构,无杂相生成。此外,薄膜表面光滑致......
目的:以六方纤锌矿结构的ZnO基薄膜作为室温光电材料,目的是降低薄膜的电阻率,并提高其光学透过率及薄膜结晶质量。方法:采用化学......
利用化学溶液沉积法在Pt/Ti/Si O2/Si(100)基底和700℃条件下分别制备了Nd和Mg(不同浓度)共掺杂的钛酸铋薄膜Bi3.15Nd0.85Ti(3-x)Mg2xO12......
采用化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了厚度小于100nm的Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜,测量了光子能量为2~4.5eV的紫外......
混合价态的锰氧化物Pr1-xCaxMnO3 薄膜是近年来国际上超导体以及巨磁电阻领域的研究热点之一.本文采用化学溶液沉积方法在Pt/Ti/Si......
以铋、钆的硝酸盐等制备前驱溶胶体系,用CSD法在SrTiO3(100)基底上制备出c轴织构良好的可作为涂层导体缓冲层的GdBiO3(GBO)薄膜。首先利......
采用CSD法制备YBCO薄膜可精确的控制组份,不需要真空设备,成为近年来的研究热点之一。文中概述了CSD法制备YBCO薄膜的研究进展,总......
文中对化学溶液沉积法快速制备YBCO薄膜的工艺进行了探索。通过对分解工艺的优化,成功将薄膜的干燥分解时间缩短到1小时以内,而传统......
铅基铁电/压电材料因其具有优异的压电性能和组分可调节性的优点,长期以来一直占据着电子元器件的主要市场。然而它们的制备过程中......
铁酸铋(BiFeO3,BFO)由于同时具有室温磁性和铁电性,是一种较为理想的室温单相多铁材料,且其具有室温下最大电极化强度,在诸多领域有......
以钇钡铜氧(YBa2Cu3O7-δ)为代表的涂层导体的发展推动了高温超导体实用化进程。然而,在制备YBa2Cu3O7-δ(YBCO)涂层导体过程中,YBCO......
近年来,铋基类钙钛矿铁电材料是铁电和固态电解质材料应用领域备受关注的功能材料之一,其应用研究已成为固态电子学领域的研究热点......
采用旋涂法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi2VO5.5铁电薄膜,研究退火温度对薄膜物相结构、表面形貌、电学性能的影响.500,550,600,700......
金属氮化物由于其熔点高、化学稳定性好、硬度高、催化性能优越及磁、电输运性能丰富等特性引起了人们广泛关注。热学性能方面存在......
采用高分子辅助化学溶液沉积法,在Sr-TiO3(STO)单晶基底上制得了一系列高温超导涂层导体BaZrO3(BZO)缓冲层。研究结果表明,不同高分子......
采用化学溶液沉积法在Si衬底上生长立方结构的δ-Nb-Ti-N薄膜和δ-NbN薄膜,系统研究了掺杂前后薄膜颗粒度/晶粒度、微应力、N含量......