半导体功率器件相关论文
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
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为推动我国新型功率半导体器件技术水平进一步提高、加快其成果转化和应用推广、提高自主创新能力,由中国半导体行业协会分立器件......
日本三菱电子公司研发出碳化硅(SiC)MOSFET新结构,在因短路而出现过流时,不再需要高速保护电路来阻断电压,更好满足高能效、小尺寸......
具有低损耗、高耐热性、高耐湿性和耐压寿命长、难燃、小型、轻量化的电视机配套用玻璃钝化封装硅二极管(以下简称玻封二极管),是......
IGBT作为常用的半导体功率器件,其良好的开关特性与封装外形使其在高压大功率电源中得到了最广泛的应用。但IGBT的另一个特性“线......
目前兆瓦至百兆瓦级大容量电力电子装置受限于传统晶闸管换流技术，普遍存在如下几个问题，其中包括开关频率比较低、谐波较高、体积也......
提出了一种新的薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ（降低表面电场）结构，称为多漂移区薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ结构。以双漂移区薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ结构为例给出了基于二维Ｐ ｏｉｓｓｏｎ方程的角析物理模型。利......
作为第3代半导体的核心材料,宽带隙半导体材料SiC及其器件制造技术,近年来得到了迅速发展。与传统半导体Si和GaAs相比,具有优良性......
高压半导体功率器件主要需求的材料为厚外延高阻的外延片，而LPE的优势在于生产厚外延产品，但厚外延高阻材料对于片内阻值均匀性的要......
(4)典型应用 ①在BUCK变换器中的应用 图17为用IR2110的高端部分驱动BUCK变换器中的MOSFET。对自举电容的初始充電是由VCC源......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
<正>半导体产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业,是培育发展战略性新兴产业、推动信息化和工业化深度融合的核......
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4宽禁带半导体功率器件的发展背景宽禁带半导体功率器件的发展是在宽禁带半导体材料发展的基础上发展起来的,其迅速发展的主要原因......
<正>第一代半导材料Si点燃了信息产业发展的"星星之火",而Si材料芯片也成就了"美国硅谷"高科技产业群,促使英特尔等世界半导体巨头......
文章系统阐述了软开关技术的发展过程、基本结构,并给出了软开关的具体应用实例....
本文分三个专题，介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章，供专业人士参考。......
<正>半导体芯片被称为"现代工业的粮食",是物联网、大数据、云计算等新一代信息产业的基石,其对于下游5G通讯、人工智能、大数据、......
通过一系列的工艺步骤，在半导体功率器件含有场限环（FLR）的结终端上覆盖了一层300nm厚、介电常数高的钛酸锶钡（BST）膜。对该新型结终端......
功率电子学是一门包含用功率半导体器件进行功率变换和控制的新技术的学科,同时也是多项高新技术的基础。作为信息产业和传统产业......
日前，投资50亿元人民币的“西安半导体产业园”在西安高新区签约。有关人士称，该项目建成后以半导体照明、太阳能光伏和半导体功率器......
简要地介绍了突破传统"硅极限"的超结器件发明的背景,以及产生的来由。描述了既用作漂移区又用作耐压区的各种超结结构的导通电阻......
长寿命、高可靠的半导体功率器件难以采用正常应力下的长期寿命试验进行寿命评估。从阿伦尼乌斯方程出发,研究了半导体功率器件加......
