双沟道相关论文
为避免变电站内施工造成站内导引光缆意外中断,同时消除站内光缆同沟道存在的运行隐患,提出了建设变电站导引光缆双沟道的治理措施......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
轴是高精度微型轴连轴承的关键零件,结构复杂,精度高,加工难度大,尤其是沟道和台阶深内孔的磨削,有着极为严格的要求.为此,专门设......
介绍一种采用电磁铁驱动的砂轮修整定位机构,用于单沟道轴承磨床改造,实现轴承套圈双沟道一次磨削和自动磨削.阐述了该机构的工作......
分析了存在于高压SOI PLDMOS器件中的寄生双沟道效应的产生机理,并提出了改进型的新结构。该结构有效地抑制了SOI PLDMOS器件的寄......
横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS)由于具有耐压能力强、工作电流......
SiC材料作为第三代半导体材料的代表之一,以其较宽的禁带宽度、较高的临界击穿电场、载流子饱和漂移速度以及热导率等特性,在高温,......
学位
本文讨论了一种新型ＨＥＭＴ沟这结构，它由ＩｎＧａＡｓ和ＩｈＰ组成，利用了低电场下ＩｎＧａＡｓ的高电子迁移率和高电场下ＩｎＰ的高漂移速率。０．６μｍ和０．７μｍ栅长的器件上获得了１２９０ｍＳ／ｍｍ的高跨导......
GaN基HEMT器件由于其高击穿电场,高饱和速度等优越性能,在高频高温大功率器件应用方面有着广泛的前景。为了满足电路集成化程度的......
阐述了一种新型的In0.80Ga0.02As／In0.053。Ga0.47 As双沟道InP HEMT结构。采用这种双沟道结构能够有效地提高沟道中电子的迁移率，减......
轴承双沟道一次磨削是指采用两片砂轮同轴安装，修整成形后，对工件进行切入磨削，其关键技术在于解决同轴双砂轮的修整并保证加工精度。......
氮化镓(GaN)因其具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和速度快等优点,被广泛应用于微波器件、功率器件以及GaN数字电路等领域。近年......
学位
GaN基异质结构由于其自发极化和压电极化产生的沟道内二维电子气（2DEG）而得到了广泛的关注,以AlGaN/GaN异质结为基础的高电子迁移率......
随着材料质量和器件工艺的不断进步,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能也得到了不断提升。为了追求更高的器件性能指标,......
针对微型双沟道台阶轴的特殊要求,分析了其结构特征,阐述了加工工艺,设计了关键工序的加工工装,并对批量制造中存在的问题做了初步......
GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有大的禁带宽度、高的临界击穿场强、高的电子饱和漂移速度、以及强的自发和压电极化效应产生的具......
GaN等Ⅲ族氮化物由于其较宽的禁带宽度、较高的电子饱和速度以及较高的击穿电场强度等优势,是作为高压、高频器件的首选材料。经过......
提高集成度,发展新型器件是当前集成电路发展的一个重要方向。实空间转移晶体管RSTT具有高频、高速、可控负阻等特性,且可与HEMT或......
采用二维有限元法(FEM)模拟了激射波长为1 550 nm的InGaAsP/InGaAsP多量子阱(MQW)双沟道脊波导(DCRW)激光器的热分布,系统研究了钝......
