槽栅相关论文
具备耐压能力强、高频性能、易集成等诸多优点的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semico......
学位
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm,源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大......
功率半导体器件在电力电子行业有着非常广泛的应用,是电子产品的基础元器件之一。近年来,功率电子器件朝着高频、大功率的方向发展......
自上个世纪九十年代以来,AlGaN/GaN HEMT凭借着其优异的特性发展迅猛,与传统的Si器件相比,GaN HEMT可以工作在更高的频率和温度下,......
提出了一种带P型埋层的新型SOI双介质槽MOSFET。通过在SOI层底部引入P型埋层作为补偿,在耐压优化情况下增加漂移区的浓度,降低了比......
给出了槽栅 MOSFET的阈值电压解析模型 ,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律 .分析和对比结果显示 ,该模......
