多晶硅膜相关论文
在PECVD法制备a-Si∶H薄膜材料基础上, 以XeCl准分子激光烧结为手段, 对在玻璃衬底上制备多晶硅薄膜材料的工艺条件进行了探索, 利......
对就热壁ＬＰＣＶＤ多晶硅的基本原理、典型淀积条件、掺杂、均匀性引起多晶硅膜层表面“发乌”、“发雾”的原因和提高多晶硅膜质量的工艺措......
目前TOPCon电池的一大任务就是如何简化制备工艺,以便最大限度地降低成本。图24给出了TOPCon电池的3种不同的工业化工艺流程,这3种......
多晶硅膜内应力的存在影响传感器的性能.本文介绍了内应力的SEM测定法和减小应力的途径.1 多晶硅微结构多晶硅膜采用LPCVD方法淀积......
本文叙述了双层多晶硅 VLSI 器件的不同氧化比率,及在750—900℃温度范围内重掺杂多晶硅的干 O2氧化特性。这些不同的效应在800℃......
等离子体腐蚀是七十年代初期在半导体工业中发展起来的一项新技术。在集成电路、特别是 N 沟硅栅 MOS 集成电路中,用它来腐蚀多晶......
