玻璃衬底相关论文
用Ｑ开关ＹＡＧ激光器的１．０６μｍ的脉冲激光在硅及玻璃衬底上沉积了氮化硼薄膜。做了ＳＥＭ，ＸＲＤ，红外透射谱和紫外一可见透射谱等测试。确认为六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）薄膜......
以纯度为99.99%氧化锌铝(w(Zn O)=98.00wt%,w(Al_2O_3)=2.00wt%)陶瓷靶为原料,利用直流磁控溅射法在普通白玻璃衬底上制备铝掺杂氧......
在2×10-3Pa真空度下,以酞菁铜(CuPc)、均苯四甲酸酐(PMDA)和二氨基二苯醚(ODA)为原料,通过控制三源单体的加入摩尔计量、加热时间......
利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以氮气为等离子体气源,硅烷为前驱气体在玻璃衬底上低温沉积了氮化硅......
采用射频等离子体增强化学气相沉积(radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition,RF-PECVD)技术在玻璃衬底上沉积......
本文报道用不同离子两步交换技术,在玻璃衬底上制作K~+离子交换掩埋波导的新工艺,它不要求施加外电场。用X射线能谱(XES)分析技术......
ZnO是一种非常重要的多功能直接带隙型宽禁带半导体材料。其禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。高的激子束缚能使得激子可......
提高太阳能电池的转换效率是降低光伏发电成本的有效手段。玻璃衬底能够反射大约10%的太阳光，通过在玻璃衬底表面镀制减反射膜，......
能源是国家发展的重要基石。随着社会的需求,可再生清洁能源成为发展的趋势。太阳能就是其中之一,它不仅储量巨大,同时又不需要消......
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙半导体化合物材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能达到60meV,化学性质稳定,材料类型丰富,通过掺杂......
氮化镓(GaN)是Ⅲ-Ⅴ族宽带隙半导体材料，晶体结构为六方纤锌矿结构，在室温下的禁带宽度为3.39 eV，在光电子和微电子领域的应用前景广......
用静态观察和动态观察两种方式分别对玻璃衬底及相关材料在液体里所形成的弯月面进行观察，并对其进行研究，了解弯月面形成过程的宏观......
本论文采用Sol-gel旋涂法，在普通玻璃衬底基底上制备了ZnO纳米薄膜，探究了凝胶的热分解过程、胶体浓度、前热处理温度(PHT)、后热处......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
