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近年来,在我国经济的转型和产业结构调整的浪潮下,智能制造已成为制造业发展中的主攻方向。工业机器人是智能制造的重要组成部分,......
磷化铟（InP）是一种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,具有很多的优越特性,是制备半导体器件的衬底材料,在光源、光纤通信、高速大型计算机等领域得......
硒化镓（GaSe）晶体是一种综合性能优异的非线性光学晶体材料,在中远红外波段以及太赫兹波段都有重要应用。GaSe还可以作为二维材料应......
生长了系列掺杂低铁(质量分数分别为0×10-6,3×10-6,5×10-6,10×10-6,25×10-6,50×10-6、100×10-6)的近化学配比铌酸锂(SLN)晶......
用热分解法在玻璃衬底上制备了Ｃｕ添加的Ｂｉ，Ａｌ：ＤｙＩＧ磁光薄膜，对其静态读、写性能进行了详细的研究。Ｃｕ添加的薄膜可获得高的矫顽力和好的矩形化，对记......
ＬｉＧａＯ２与ＧａＮ的晶格失配率只有０．２％，是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验，用提拉法生长了尺寸为１５×６０ｍｍ的高质量ＬｉＧａＯ２单晶。利用化学侵蚀、光学显微......
在高压液封切克劳斯基(LEC)方法生长InP晶体过程中,孪晶出现是一个比较突出的问题。但是选择合理的热场、注意液封剂B_2 O_3脱水条......
引言砷化镓是重要的半导体材料,最近几年发展很快。为了加速我国电子工业的发展,早日实现四个现代化,对砷化镓的现状进行综合讨论......
研究了“真空冷指升华法”制备高纯碘 (I2 ) ;采用“三温区汽相合成法”将高纯汞 (Hg)与高纯碘合成碘化汞(Hg I2 ) ;α- Hg I2 单......
