异质结器件相关论文
宽光谱光电探测器的革新与新型窄/零带隙光电材料的发现和应用紧密相关。自石墨烯（Graphene,Gr）红外光电探测器成功制备以来,将半金......
5G时代和万物互联的物联网时代的到来，对高性能传感器有着巨大的市场需求。其中，光电探测器作为信息转换与探测的核心部件，在物联网时......
自2004年石墨烯被发现以来，二维层状纳米半导体材料凭借其独特的物理、化学等性质成为热点研究领域。其中，二维层状二碲化钼(MoTe2)......
利用低成本的氧化物异质结器件吸收太阳能的难点在于吸收效率的提高,究其原因是薄膜结晶质量的好坏和过渡层质量的优劣。p-Cu2O/n-......
外延ZnO薄膜大多数沿着c轴方向择优生长,沿着c轴方向生长的ZnO薄膜,锌原子层与氧原子层交替排列,由于缺少反演对称性,从而导致了很......
目前,SnS是最具有发展前景的光伏材料之一,非常有希望作为未来高效的太阳能转换材料。SnS具有稳定的化学性质,无毒性,其构成元素在......
有机-无机杂化钙钛矿材料是一种新型的光吸收材料。CH_3NH_3PbI_3因具有良好的光学和电学特性,是一种特别适合作太阳能电池和光电......
载流子的复合是有机电致发光过程的一个重要环节，它直接影响着器件的效率，稳定性，寿命等性能。以双层器件ITO／N，N＇-Diphenyl-N，N＇-bis（1-nap......
利用脉冲激光沉积(PLD)在玻璃衬底上制备了Cu掺杂SnS薄膜。靶材是由SnS和Cu2S粉末混合压制而成(Cu和Sn的量比分别为0%、2.5%、5%、......
采用射频磁控溅射法溅射SnS_2靶,在玻璃基片上以不同射频功率和氩气压强制备一系列薄膜样品,研究了不同工艺条件对薄膜特性的影响......
用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层 Si夹层的影响,得到Si......
Te薄膜是一种VI族窄带隙元素半导体材料,晶格缺陷作为受主使其表现出P型导电性。Te位于Se和Po之间,具有半金属性,使其表现出多价性......
介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅薄膜工艺技术，可调控氮化硅薄膜的应力，从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄......
期刊
氧化锌(ZnO)材料是一种直接带隙半导体材料，被认为制作紫外发光器件的一种高效的半导体材料。由于目前微电子科技都是基于硅(Si)材......
以新型的空穴传输材料三苯基二胺衍生物聚合(PTPD)制成了氧化铟锡(ITO)/PTPD/(Alq3)(8-羟基喹啉铝)/Mg:Ag异质结发光器件,考察了器......
采用二维器件仿真软件对GaNJSi异质结双极晶体管进行了特性仿真研究。对GaN／Si异质结双极晶体管建立了合理准确的物理模型，包括不完......
