感应耦合等离子体刻蚀相关论文
为避免深硅刻蚀工艺所引起的扇贝纹效应，同时减少其工艺气体所带来的温室效应，本文将新一代环保电子刻蚀气C4F6引入硅刻蚀工艺，采用刻......
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钽酸锂（LiTaO3）和铌酸锂（LiNbO3）拥有出色的各项性能,例如热释电、光电、压电等,从而具有很大的科研价值和广泛的应用空间。人们对于由......
在氧化物限制型垂直腔面发射激光器制备中,刻蚀GaAs/AlGaAs时因异质型材料常出现选择性内蚀现象,这会直接影响后续的氧化工艺及电......
二元光学元件不仅是制造微光机电系统的关键元器件,而且是制造小型光电子系统的关键元器件。它不仅具有尺寸小、性价比高等优点,并......
本文对计算全息图元件的设计和制作成算法和软件,研究了采用高速电子束直写系统制作大面积、非周期性复杂光刻图形技术,在此工作的......
GaAs/AlGaAs多层膜的陡直度较大程度地关系到其实际应用效果,但在实际加工中较难控制,因此有必要研究刻蚀过程中一些主要因素对其......
自1970年,元件制造首先采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术后,至今30多年,它的发展与集成电路和光电子器件发展密不可分,很大程度......
对碲镉汞材料干法刻蚀损伤进行研究,采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术、湿法腐蚀方法完成碲镉汞接触孔刻蚀,通过扫描电子显微镜和......
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玻璃通孔(TGV)技术被认为是下一代三维集成的关键技术,该技术的核心为深孔形成工艺。感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是半导体领域......
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感应耦合等离子体（ICP）刻蚀是宽禁带半导体材料4H-SiC加工工艺中的重要环节。采用CF4/O2作为刻蚀气体，首次用正交实验的方法系统研究......
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简单介绍了ICP刻蚀系统和刻蚀原理.通过实验分析了ICP刻蚀SiO2和Cr时,刻蚀速率随相关工艺参数变化而变化的几点规律.同时给出了用I......
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研究了用Cl2／BCl3，刻蚀GaN基LED中，工艺参数对GaN刻蚀速率、刻蚀侧壁和GaN与SiO2刻蚀选择比的影响。研究结果表明，刻蚀速率随着ICP功率......
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选用SF6/O2混合气体对等离子体增强化学气相淀积（PECVD）法制备的碳化硅（Si C）薄膜进行了浅槽刻蚀,并通过正交试验设计方法,研究了感应......
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相比传统的有机发光二极管(OLED),量子点发光二极管(QLED)在可见光区荧光光谱连续可调、亮度高、寿命长等优势广泛应用于照明和显......
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硫化锌(ZnS)是一种重要的宽带隙化合物半导体,具有独特的光电性能,是理想的红外窗口和头罩材料,因此利用ZnS材料制备光学元器件有......
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运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性......
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近年来光通信与光计算技术正在飞速发展,光作为一种新兴的信息载体,控制光传输的技术显得越来越重要,低功耗、高速可调制、尺寸小......
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极......
随着宽带城域网(BMAN)的大力建设,DWDM(密集波分复用)技术的广泛使用,光通讯领域的重要应用前景和巨大的市场潜力变得清晰,具有对......
亚波长结构光学器件因其优越的光学特性，在空间探测、消费电子等多个领域有着广泛的应用。基于玻璃衬底的亚波长抗反射结构具有高损......
超结构光栅由于具有梳状反射谱特性被广泛用于密集波分复用（DWDM）系统的器件中，如基于超结构光栅制作的多通道滤波器、色散补偿器、复......
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随着因特网（internet）的迅速普及和发展，以及三网融合的要求，传统的电信网络已经难以满足人们对高速通信的要求，而具有速度快、高带宽、......
在本论文中，通过对侧表面粗糙化和倾斜侧面的实验研究和理论研究，提高氮化镓基发光二极管的侧面光出射效率。同时也计算了氮化镓基发......
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是目前国际制备InSb台面结型焦平面阵列技术的主流技术之一。文章研究采用ICP刻蚀技术,以CH4/H2/Ar......
