垂直腔面发射激光器相关论文
垂直腔面发射激光器（VCSEL）具有高可靠性,低成本,寿命长,体积小,性能高等优点,具有广泛的应用市场,受到了学术界和产业界的共同关注......
为了研制出表面微透镜集成外腔的垂直腔面发射激光器（VCSEL），实现窄线宽无磁激光输出，满足原子磁强计等量子传感器应用要求，本文设计并......
作为GaN基发光器件最常用的有源区结构,InGaN/GaN多量子阱结构一直以来都倍受科研工作者们的关注。为了提高InGaN/GaN多量子阱发光......
随着时代的发展和技术的变迁,人们对于高效,快速及准确的信息处理方式有极大的需求。光子储备池计算（Reservoir computing,RC）是一种......
随着通信技术的更迭和传输速率的增长,保障通信系统中信息的安全传输成为了当前研究热点之一。合法用户间的安全密钥分发作为保密......
垂直腔面发射激光器凭借阈值低、发散角小、调制速率高以及输出光束呈圆斑对称等特点,迅速成为当下半导体激光器的研究热点.氮化镓......
激光混沌凭借其复杂的动力学特性和极高的传输速率推动了高速混沌通信系统的发展。半导体激光器作为目前产生激光混沌最广泛的光源......
近年来,随着科学技术的飞速发展,足不出户就可以拥抱世界、精彩生活。比如,获取全世界正在发生的事、居家远程学习和办公、可以看......
随着3D传感和人脸识别技术在手机上的广泛应用,940 nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）作为技术的核心光源,其有低阈值电流、高频调制、二......
随着当代信息网络技术的飞速发展,人们对高速信息处理、高速信息传输能力、传输容量等方面的需求标准也在不断地提升。可调谐垂直......
近年来,数据中心和高性能计算机系统应用的快速发展使得支撑短距离数据通信和计算机连接中的高速光互连技术倍受关注。相比于传统......
垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)限制电流流入的方式有许多种, 其中氧化孔径(电流注入孔径)限制法制备工艺简单, 成为普遍选用的......
设计了一种用于850 nm GaAs基VCSEL的高折射率对比度亚波长光栅（HCG），整体结构采用GaAs材料体系，包含光栅层及为缓解其应力问题而设计......
Two vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) are mutually coupled through a partially transparent mirror (PTM) p......
研究了一种VCSEL（垂直腔表面发射激光器）侧面抽运的全固态激光器, 报道了一种可以稳定工作的紧凑型Nd∶YAG激光器。该激光器采用VCSE......
High-power vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) are processed using a wet thermal-selective oxidation techni......
与传统的边发射半导体激光器相比,垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有线宽窄、光束质量好、可靠性高和制造成本低等优点。随着808 nm V......
相比传统边发射激光器,垂直腔面发射激光器(VCSEL)光束质量高、可靠性高,在激光雷达测距(LiDAR)领域有广泛的应用前景。主要研究直......
湿法氧化工艺是垂直腔面发射激光器(VCSEL) 制备过程中极为关键的技术,但目前氧化工艺的稳定性和可控性仍有待完善。针对氧化过程......
提出并设计了一种基于无机硒化镉(CdSe)量子点(QD)材料作为增益介质的垂直腔面发射激光器(VCSEL)。该方案结合量子点发光二极管(QL......
A tunable slow light of 2.5-Gb/s pseudo-random binary sequence signal using a 1550-nm vertical-cavity surface-emitting l......
基于非对称氧化技术, 引入氧化孔径横向光场损耗各向异性, 使得TE/TM偏振光功率差进一步增加, TM偏振得到有效抑制, 从而实现795nm......
研究了大功率底发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）单管器件光束质量，分析了电流、出光孔径、衬底厚度等因素对M2因子、远场发散角、近场......
针对半实物仿真系统的需求，基于系统级封装技术提出了一款由垂直腔面发射激光器（VCSEL）激光器阵列、激光器驱动芯片、电源芯片等组成......
为实现对垂直腔面发射半导体激光器氧化孔径的精确控制, 提高其光电特性, 对湿法氧化工艺进行了实验研究.在不同的氧化温度下, 对......
为了能够实现垂直腔面发射激光器(VCSEL)偏振无关特性,提出了将偏振无关光栅与half-VCSEL集成的方法。基于严格耦合波法,分析了光......
在PIN光电探测器(PIN-PD)结构的垂直方向上集成垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构单元,实现了收发一体式工作的集成光电芯片对,可用于......
在氧化物限制型垂直腔面发射激光器制备中,刻蚀GaAs/AlGaAs时因异质型材料常出现选择性内蚀现象,这会直接影响后续的氧化工艺及电......
We report the fabrication of a novel high-power vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) with radial bridge electr......
报道了一种可在低温环境下和100 ℃以上的宽温范围内稳定工作的纳秒级被动调Q的Nd∶YAG激光器。谐振腔采用抗失谐的双Porro棱镜组......
为实现垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）在808 nm波长的激射，对VCSEL芯片的整体结构进行了设计。基于应变量子阱的能带理论、固体模型......
为实现894.6 nm低阈值、高稳定性、单模激光输出,设计了具有不同台面刻蚀结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件,研究了台面直径和......
垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有尺寸小、功耗低、效率高、调制带宽大、寿命长、圆形光束、在片测试、易于二维阵列排列等优点,广泛......
1977年，日本东京工业大学的伊贺健一首次提出垂直腔面发射激光器（Vertical Cavity Surface Emission Lasers,VCSEL）的概念。因其光学......
采用垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)作为光源的相干布居囚禁(Coherent Population Trapping，CP......
垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为理想的激光光源,具有广阔的发展前景.在光纤通信、光互连以及激光打印等应用领域中,大多要求VCSEL......
提出了一种基于光电反馈产生500 GHz宽带双偏振光学频率梳的方案.该方案基于光电环路反馈1550 nm垂直腔面发射激光器,采用自旋反转......
近来，中国台湾国立交通大学的研究人员首次研制出了电抽运GaN垂直腔面发射激光器（VCSEL）。这种激光器具有可用于高密度光存储和激光打......
混沌信号由于固有连续宽带频谱、非周期性、类随机行为以及类噪声等特性而被用作保密通信中的载波。对于混沌保密通信而言,安全性......
近些年来,数字信息呈喷薄式地增长发展,逐渐被广泛地应用到科技发展的各个领域当中。数字彩色图像由于具有特殊的颜色、纹理和形状......
垂直腔面发射激光器(VCSEL)由于其体积小、阈值电流低、单纵模工作、易于集成等优点,被广泛应用于光通讯和光互连等领域。现阶段,......
随着信息社会的高速发展和大数据时代的到来,通信速率日益提升,但是电互连在高速数据通信中存在传输延迟大、易受电磁干扰的缺陷。......
垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers,VCSELs)自1978年问世以来,经历了快速的发展。它具有许多传统边发......
