栅压相关论文
通过参数调整和工艺简化 ,制备了应变Si沟道的SiGeNMOS晶体管 .该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道 ,相比于体Si器......
深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N2中退火5......
提出了一种对BCCD(埋沟电荷耦合器件)沟道电势的直流测试方法,并对此进行了理论分析和实验研究,该方法能快速、准确地进行BCCD沟道......
黑暗时,即使关上汽车车门,车厢内照明如能持续一定时间的话,无论是操作点火键还是系安全带都十分方便。一般经验认为断开延迟时间......
瓦里安2100C/D加速器枪驱动系统,由冷端和热端两部分组成.系统采用数字栅控电子枪,实现数字化自动控制,提供精确稳定的灯丝电压、......
本文报导了异质结类 MIS FET,该器件中用 n~+-GaAs 层作为栅,非掺杂的 GaAlAs 层作为绝缘层,非掺杂的 GaAs 作为半导体。这种器件......
我台发射机房使用的发射机是成都6 30厂生产的1 0kW单通道彩色电视发射机,其中包括1 0W激励器、5 0W全固态功放和两级电子管放大,......
两年前的一个晚上，我们参与了发射中心分米波18频道型号为GSUF-5kW电视发射机（鞍山广播器材厂生产）的故障抢修，下面介绍维修中的体会供......
采用有机半导体材料酞菁铜作为有源层，聚四氟乙烯作为绝缘层，制作了两个不同结构的有机薄膜场效应晶体管，一个是底电极结构，另一个是倒......
研究 LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区,栅压对器件内部温度的影响.结果表明：温度随正栅压升高而升高,随负栅压升高而降低,并分析了......
制作了基于AlGaN/GaN HEMT结构的微型氢气传感器。本文研究了室温条件下栅压与传感器氢气响应特性的关系。研究结果表明随着外加栅......
伴随着半导体材料的发展，白光LED成为许多领域照明的首选器件。由于便携式应用对白光LED亮度均匀性的要求，以及白光LED自身的正向导......
摘要：本论文以底栅型非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)器件为基础,对a-Si TFT模型进行研究。将a-Si材料场效应迁移率小于1cm2/V·s作为限......
学位
研究LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区，栅压对器件内部温度的影响。结果表明，有源区电流密度、功率密度和温度都随正栅压升高而增加，......
文章基于LDMOS放大器件栅压固有特征以及自适应信号处理技术，提出了一种新型的栅压自适应控制技术，首先对该技术的原理进行了推导和......
