纤锌矿结构相关论文
氮化镓（GaN）是Ⅲ—Ⅴ族宽禁带半导体材料,拥有热导率高,化学性质稳定以及抗辐射能力强等优势,有望大规模应用于微波功率器件、蓝色光......
半导体纳米粒子的合成已经经历了30多年的发展,它们的合成逐渐变得成熟,在日常工业和实际应用中开始崭露头角。II-VI族半导体纳米......
采用球磨法制备了Zn1-xCoxO(x=0,0.004,0.008)纳米粉体,分别利用XRD,PL光谱和紫外-可见吸收光谱对样品进行了表征。XRD图谱显示样......
本文通过光致发光（ Ｐ Ｌ）测试发现了 Ｎ Ｈ３ 流量的大小对以 Ｇａ Ａｓ（１００）为衬底生长立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体性质的影响的规律， Ｎ Ｈ３ 流量愈少，立方相 Ａｌ Ｇａ Ｎ 的纯度......
采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了纯ZnO薄膜和高浓度Cu掺杂的Co,Cu共掺ZnO(Zn0.90CoxCu0.1-xO,x=0.01,0.03,0.05)薄膜。扫描电镜......
ZnO的能带工程和p型掺杂是当前ZnO研究的两大热点和难点。通过等价阳离子部分取代Zn形成ZnMeO (Me=Mg、Be等)合金来调控ZnO带隙的......
在Zn(NO3)2和Co(NO3)2溶液中,以柠檬酸作为络合剂,采用阴极恒电位沉积法直接在ITO衬底上制备出纯ZnO和Co掺杂ZnO(ZnO∶Co)纳米棒阵......
以热镀锌渣为原料、以空气为氧源,采用真空限氧法制备了纳米氧化锌。用热重法测定了不同系统压力条件下锌蒸气的氧化动力学曲线,用......
以氧化锌陶瓷靶和金属钴靶为靶材,利用磁控共溅射方法制备钴掺杂氧化锌(Co-ZnO)薄膜。研究了溅射功率对薄膜的结构、光学和电学性......
ZnO作为一种优异的光电功能材料,在众多领域如太阳能电池、发光二极管、气敏传感器等方面有着广泛的应用,又由于具有生物兼容性,在......
全球经济的快速发展加速了化石能源的枯竭，近年来越来越多的科学家开始关注和研究新型节能环保的光学材料。本文首先在有效质量近似......
铜基多元组分硫属化合物由于其具有3d电子壳层结构，呈现出特殊的结构和优异的理化性能，是能源领域最有研究及应用前景的材料之一。本......
氧化锌(ZnO)是一种具有六角纤锌矿结构的氧化物半导体材料,具有优异的光电性能,在透明电极、平面显示、太阳能电池等领域应用很广......
纤锌矿结构的Cu In S2(WZ-CIS)以其独特的光学特性,以及在实验制备中表现出灵活的化学计量学等特点,目前被认为是一种非常有前景的......
采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了高度择优取向的ZnO:Al薄膜。结果表明:制备的ZnO:Al薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的c轴择优......
文章通过第一性原理计算,系统地研究了纤锌矿型半导体在静水压力的作用下发生的一系列变化,例如结构相变,能带变化和弹性变化。我......
在过去十年中，Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体在光电和电子设备技术应用已经引起了相当大的关注。其中氮化铝(AlN)与氮化铟(InN)，具有较高的热......
Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN、InN、AlN及其合金材料是近年来半导体发光器件研究领域中的热点，其中一个十分重要的课题就是纤锌矿结构混日InGa......
本文考虑纤锌矿结构的氮化物半导体材料的单轴异性，在有效质量近似下采用变分理论研究了体材料杂质态结合能及其极化子效应；计及电子......
氧化锌薄膜是一种新型的宽禁带半导体材料。由于其很多有趣的性质，例如，可见光透明、宽禁带（Eg=3.3 eV）、优良的压电性质、六角纤锌矿......
近年来，Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体其独特光学性质，以及在激光、红外设备、和其它光学领域重要的应用，引起了人们极大兴趣，并被进行了广泛研......
本文的第一章中主要介绍了纤锌矿ZnO材料的性质、应用及研究意义和发展前景;第二章对密度泛函理论的计算研究方法进行了简单的介绍......
Ⅲ-V族化合物带隙跨度很大，其中InN的带隙为0.7eV，而AlN的带隙却高达6.28eV，以InP和AlN为代表的Ⅲ-V族半导体由于具有优良的光电性质，......
为了制备定向生长、光电性能优越的ZnO纳米阵列,改进了一种较为简单的水热方法:首先在ITO玻璃上铺上一层岛状ZnO种子,然后利用水热......
采用椭圆偏振光谱法,在1.50～6.50 eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌......
采用基于密度泛函理论的第一性原理的平面波超软赝势计算方法,研究了纤锌矿结构的CdxZn1-xO化合物以及CdO在纤锌矿结构、岩盐结构......
利用溶剂热法制备过渡族金属Cu^2＋、Mn^2＋、Fe^2＋掺杂ZnS纳米棒．通过x射线衍射（XRD）、X射线能谱仪（EDX）、扫描电显微镜（SEM）和透射电子显微镜......
以现代极化理论为基础,通过构建一种结构简单、直观的计算模型,分别采用Berry phase和最大局域化Wannier函数方法并结合第一性原理......
SiC薄膜具有结构不易控制,透明性较差的特点.采用PECVD方法淀积的纳米SiC薄膜经光学透过率测试表明,在637 nm和795 nm处有高的光透......
本文的第一章中主要介绍了纤锌矿ZnO材料的性质、应用及研究意义和发展前景；第二章对密度泛函理论的计算研究方法进行了简单的介绍；......
Ⅱ-Ⅵ半导体材料由于其独特的性能和应用已经引起了广泛关注。ZnS作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ半导体材料已经应用于许多领域,包括：发光二极......
根据现代极化理论,分别利用Berry phase方法和最大局域化Wannier函数方法系统计算了纤锌矿结构AlN、GaN及ZnO中的自发极化,并从电......
GaN作为一种宽禁带半导体一直是人们研究的热点。目前人们对GaN体材料和薄膜的研究已经相当广泛。然而对于一维GaN纳米材料，特别是......
基于ZnO的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体ZnO材料的新的研究热潮。ZnO以其优良的综合性能将成为下一代光电......
ZnO带隙的自由调控即能带工程对于设计和制备基于ZnO的异质结、超晶格和量子阱结构并扩展它在光电器件领域的应用至关重要,近年来......
GaAs纳米线通常呈现纤锌矿结构(WZ),而WZ(1010)侧面已被实验所观测到。利用第一性原理计算了GaAs(1010)的表面弛豫和表面能,计算结......
I2-II-IV-Vl4族纳米晶材料因其在光电、热电等领域所具有良好的应用前景而受到广泛关注。利用胶质工艺可以在较低温度下制得热力学......
ZnO因其各种优良的性能，具备很好的应用前景。ZnO纳米材料由于其材料颗粒的尺寸小，比表面积大，从而具有明显的表面与界面效应，量子尺寸......
