绝缘栅双极晶体管相关论文
本文介绍了现代硅基核心功率半导体器件IGBT的历史演变和新型器件结构的研究进展，阐述了该器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等......
功率半导体器件自面世以来迅速成为人们生活中不可或缺的一部分,其中全控器件绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor......
绝缘栅双极晶体管（insulated-gate bipolar transistor,IGBT）是一种功率半导体开关器件,以其优秀的性能,现已被广泛运用于家用电器、......
在提出电力电子器件及其组合多时间尺度动力学表征需求的前提下,以目前常用的全控型电力电子器件——绝缘栅双极晶体管(Insulated ......
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体......
Compact Azipod推进器,由和永磁同步电动机的转子同轴的定距螺旋桨构成.推进电动机的定子烧嵌在吊舱内,利用周围的海水对流进行冷......
近年来,半导体分立器件的设计技术、加工工艺、材料等不断取得新的突破,作为第三代电力电子半导体代表产品,IGBT(绝缘栅双极晶体管......
随着电力电子器件制造工艺的不断改进和变流技术的逐渐完善,绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为功率......
电子元器件物料直接影响着整机的质量与可靠性。准确地评价电子元器件物料的优劣对于指导产品选型进而提升整机的可靠性具有重要的......
绝缘栅双极晶体管(Insulate Gate Bipolar Transistor,IGBT)等电力电子器件及其应用技术是信息产业和传统产业之间的主要接口，是弱......
半导体器件是电力电子技术的基础，一种新型器件的诞生往往使整个电力电子行业的面貌发生巨大改观，促进电力电子技术飞速发展。绝缘栅......
绝缘栅双极晶体管(InsulateGateBipolarTransistor,IGBT)是一种由场效应晶体管(MOSFET)和双极型功率晶体管(BJT)结合而成的达林顿......
弧焊电源动特性直接影响到电弧的稳定燃烧和焊缝的成形、飞溅,因此动特性的评定是一个关键性的问题.然而,迄今为止仍没有一个理想......
近年来，随着医疗器械产业的发展，变频器越来越多的被应用到医疗器械中。本文以TI公司最新推出的电机控制专用微处理器TMS320F2812型......
IGBT(绝缘栅双极晶体管)被广泛应用于电力传动系统、电源、变频器等装置中，并是实现其功能的关键元件。IGBT工作时，其开关会处于高频......
高压开关是J-TEXT装置高压电源系统的重要组成部分，主要作用为快速的投入与切除高电压，以确保系统设备安全稳定运行，高压开关的器件选......
该文采用新型晶体管IGBT斩波器代替老式的可控硅斩波器控制方案,斩波频率提高数十倍,不仅改善了系统的调速性能,还可以克服晶闸管......
根据直流电源的要求,结合该领域的现状,本文着重研究如何利用微机作为直流电源的控制器,研制出由单片机智能化控制绝缘栅双极晶体......
混合式电力电子断路器在传统机械式断路器的基础上利用电力电子器件构建电力电子换流装置，可以有效提高机械式断路器的开关速度和使......
三电平变流器有着大容量、耐压等级高、输出电流谐波含量少、开关损耗小等诸多优点,所以是高压大功率场合非常理想的选择之一,而二......
软开关逆变技术的研究是目前电力电子技术领域中最活跃的一个研究方向。与常规的硬开关相比,谐振软开关具有许多明显的优势。软开......
碳化硅(Si C)是发展高功率、高温和高频器件极具吸引力的宽禁带半导体材料,近年来引起了越来越多的关注。Si C基绝缘栅双极晶体管(......
SiC IGBT作为一种MOS、双极复合型器件,兼具两者的优势,是一种理想的开关器件,然而一直以来制约SiC IGBT发展的一个重要的因素是沟......
本文系统研究了4氢碳化硅（4H-SiC）材料的物理性质，分析计算了4H-SiC宽禁带半导体材料的禁带宽度Eg和载流子迁移率μ等材料参数，并依据......
对电机驱动、不间断系统、开关电源、高强度灯管镇流器和感应加热等电压转换应用,绝缘栅双极晶体管(IGBT)的栅极必须以稳定的开关......
最近产业界忽然刮起了一股产业联盟风,先是南车成立了中国IGBT技术创新与产业联盟,相隔一天北车又与ASMC在上海签约“建设战略产业......
为了解决传统电磁炉热效率低、可靠性差的缺点,笔者采用全新的控制方案,其特点有两个:把传统的交流侧“恒流”控制改为直流侧“定......
提出一种以串联谐振并联输出进行DC-AC功率变换,以控制两个逆变器谐振电压相位差来调节输出电压的逆变器结构;分析了该逆变器的工......
对IGBT栅极驱动特性、栅极串联电阻及其驱动电路进行探讨。提出慢降栅压过流保护和过电压吸收的有效方法。
IGBT gate drive char......
简述了IGBT的发展概况,对比了国内外的发展现状,及国内外产品的技术特点与指标.同时,还指出了IGBT的优点,研究IGBT的重要性及其发......
本文提出了一种新型的LDMOS/LIGBT混合结构.它兼具LIGBT的驱动能力强和LDMOS的速度快的特点,并且衬底电流小,能很好的抗闭锁.利用......
介绍了当前绝缘栅双极晶体管(IGBT)的几种结构及沟槽型IGBT的发展现况,分析了高电压沟槽型非穿通(NPT)IGBT的结构及工艺特点。通过......
针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速......
高压脉冲电源是中性束注入加热装置中的主要系统之一,该电源具有输出电压0～100 kV DC可调,最大电流100 A,电压调整精度......
Marx固态脉冲调制器是根据Marx发生器的原理并以绝缘栅双极晶体管(IGBT)固态开关作为开关元件而设计的脉冲调制器.其低成本、高可......
离子回旋共振加热是EAST超导托卡马克核聚变实验中重要的辅助加热手段.高性能的高功率射频放大器阳极电源对整个加热系统的稳定运......
阐述了一种额定电流为 4 0 0A、引入了微机控制的新型逆变二氧化碳焊机的研制实施方案 .在对逆变理论和微机控制技术进行研究的基......
绝缘栅双极性晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)在高电压场合应用时需串联使用满足电压需求。由于器件内部的性能差......
绝缘栅双极晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)串联运行易于实现IGBT的扩容,但同时也带来了不均压的问题.设计了以L,R......
根据IGBT门极驱动电路的特点,分析了光电隔离驱动模块HCPL316J的工作原理和特性;给出与微处理器接口的电路和试验.结果表明,该电路......
介绍了在原有的高压直流输电的基础上,以电压源换流器和绝缘栅双极晶体管为主要部件发展起来的轻型高压直流输电,比较了轻型高压直......
寄生杂散电感会使超快速IGBT关断时产生过电压尖峰,通常抑制过电压的方法会增加IGBT开关损耗或外围器件的耗散功率.介绍了有效抑制......
介绍了一种与常规定宽调频或定频调宽控制方式不同的调频调宽式升压斩波器的原理及其特点,设计了以数字信号处理器(DSP)为控制核心......
介绍了一种采用PVI和运算放大器控制高压绝缘栅双极晶体管（IGBT）串联均压的方法。简述了基于光压隔离器（PVI）的串联IGBT隔离驱动电路和......
文章提出了一种基于子电路的IGBT模型,并对IGBT的温度特性进行模拟.用电压控制的可变电阻等效IGBT的宽基区调制电阻取得了很好的效......
