采用传统的陶瓷烧结工艺制备了B2O3、In2O3、Al2O3多元施主掺杂的直流ZnO压敏陶瓷样品，考察了不同掺杂比（0.1%～0.4%，摩尔分数，下同）的B2O......

对不同条件下制备的锑化镓抛光晶片表面进行了TOF-SIMS测试比较。结果表明使用体积比为5∶1的HCl与CH_3COOH的混合溶液清洗腐蚀(10......

纳米级自开关二极管是一种通过破坏器件表面对称性来实现整流特性的纳米级新型晶体管。首先通过建立In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48A......

利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2 O3薄膜进行二次钝化处理.通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对......

文中系统地对BaTiO3陶瓷的表面态进行综述,认为表面态确实是PTC效应产生的根源所在,同时对表面态的组成(主要对表面态中金属阳离子......

介绍了采用辉光放电(GD)法淀积用作钝化的氢化非晶硅(a-Si:H)膜,并将其应用于硅器件的表面钝化。结果表明,采用a-Si:H钝化,器件表......

研究了不同的表面处理方法对器件肖特基特性的影响。实验结果表明,采用氧等离子体及体积比（HF:NH4F）为1:7的BOE溶液对Al Ga N/Ga N异......

SiC半导体由于具有禁带宽度大、临界击穿电场和热导率高等特点,在高温、高压、大功率器件领域具有广阔的应用前景。金属/SiC半导体......

当今世界信息技术的快速发展是离不开非易失性存储器件性能的不断提高的。为了获得性能更加优异的存储器,大量的研究者都在找寻常......

碳化硅(SiC)由于具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异的物理及电子学特性,使其在高温、高频、大功率及抗辐射等领域具有广阔的......