负偏置温度不稳定性相关论文
随着晶体管工艺尺寸的下降,数字电路的集成度日趋上升,在满足高性能的同时,老化成为影响电路可靠度的主导因素之一。尤其在电路生......
随着半导体工艺进入纳米时代,负偏置温度不稳定性等机制对电路造成的影响将不可忽略,在这些失效机理长时间的作用下,电路中的老化......
随着晶体管研制水平到达纳米尺寸,电路可靠性问题愈发严重,负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)导致......
随着CMOS集成电路按比例缩小,集成电路设计在CMOS时代的后期面临不断增加的可变性和可靠性问题的挑战。即使在容错应用中,由晶体管......
集成电路制造工艺的发展使得器件的尺寸进一步缩小，进入了纳米层级，这带来了一些影响电路可靠性和稳定性的问题，比如负偏执温度不稳定......
随着集成电路的特征尺寸进入纳米级，传统的CMOS等比例缩小越来越难以持续。应变硅具有带隙可调、载流子迁移率高等优点，因此，被认为是......
负偏置温度不稳定性引起的晶体管老化已经成为影响集成电路可靠性的重要因素.高扇入多米诺或门是高性能集成电路中常用的动态电路,......
目前,多阈值电压方法是缓解电路泄漏功耗的有效手段之一.但是,该方法会加重负偏置温度不稳定性(NBTI)效应,导致老化效应加剧,引起......
摘要：随着现代技术的大力发展，集成电路的可靠性日益严重。负偏置温度不稳定性引起的电路老化，高能粒子轰击组合逻辑电路产生软错误，是......
工艺尺寸的降低导致组合电路对软错误的敏感性越发突出,由负偏置温度不稳定性(NBTI)效应引起的老化现象越发不容忽视.为了准确地评......
纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性（negative bias temperature instability,NBTI）成为影响集成电路可靠性的关键性因素。NBTI效应......
CMOS集成电路中由负温度不稳定性效应引起的老化已经严重威胁电路的可靠性，在一些安全关键领域的数字电路系统中老化问题尤为突出，而......
为了应对集成电路老化对电子系统可靠性带来的威胁,提出一种应用关键路径漏电流变化进行负偏置温度不稳定性老化预测的方法.首先用......
为解决现有门替换技术应用中存在的时延仿真不精确和关键门选取冗余问题,对时序分析方法进行改进,通过引入电路内部节点信息,准确......
65nm及以下工艺,负偏置温度不稳定性（NBTI）是限制电路生命周期,导致电路老化甚至失效的最主要因素。本文提出了基于NBTI的时序分析框......
‘#赢i蠢囊!”蛰哪’:菇、籍旌翳鬻鬻孽攀繁震誊鬻藜囊i燃黼蒸《瓣≮舔黼媾鬻戮蠢器搿黼搿群∞ij;.I.._iⅥ.^鲤l黼麟鬻鬻m黼薹需麓......
当器件特征尺寸进入纳米级，负偏置温度不稳定性（NBTI）效应和工艺偏差都会导致p 型金属氧化层半导体（PMOS）器件性能和可靠性的下降.基于......
针对现有多输入向量控制(M-IVC)缓解负偏置温度不稳定性(NBTI)引起的电路老化的方法仅考虑到输入信号占空比约束的问题,提出一种同......
电平转换电路是多电压设计中重要的组成部分,用来满足不同电压域间信号的传递。基于32nm CMOS工艺,在100℃下,分析了NBTI老化对传......
随着集成电路的工艺水平进入到纳米层级时,器件的诸多负面效应逐渐突显出来,其中负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature I......
通过对功率金属氧化物半导体场效应晶体管在静态应力下的负偏置温度不稳定性的实验研究,发现器件参数的退化随时间的关系遵循反应......
负偏置温度不稳定性为主的老化会造成时序违规故障及软错误故障。为此，提出软错误与老化在线检测器（SEAOS）。在器件正常工作的情况下，......
随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展,负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重.研究了负偏置温度不稳定性......
随着超大规模集成电路工艺技术的发展，电路集成度和复杂度不断提高，电路老化成为电路可靠性和性能的瓶颈，给电路的测试和可靠性带来了......
随着集成电路工艺水平的不断进步,芯片集成度和性能大幅提升,而其面积和供电电压却不断减小。但是,工艺尺寸的不断缩减对集成电路......
集成电路制造工艺的不断进步,带来电路性能上的极大提升和制造成本的不断降低,但同时也使得集成电路系统的可靠性问题变得更加严峻......
随着晶体管特征尺寸的不断减小,威胁数字电路可靠性的一个重要因素是负偏置温度不稳定性。为了缓解NBTI效应对电路产生的老化影响,......
晶体管制造技术水准的不断精进,使其尺寸不断缩小,集成电路的性能表现得到巨大改善,制作成本也随之大幅度降低,但同时也使得晶体管......
集成电路在纳米工艺下,负偏置温度不稳定性（Negative Bias Temperature Instability,NBTI）已经成为了引起电路老化的主要因素。NBTI......
随着CMOS工艺特征尺寸的不断缩小,晶体管的老化效应严重影响了电路的可靠性,负偏置温度不稳定性(NBTI)是造成晶体管老化的主要因素......
随着科学技术的飞速发展,数字集成电路生产工艺进入纳米级阶段,集成电路的可靠性出现了多种问题。影响时序电路可靠性的主要因素有......
微电子技术已经成为21世纪不可或缺的技术,与我们的生活息息相关。它是计算技术、自动控制、纳米、通信技术的基础。集成度的日益......
在纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability, NBTI)效应引起的电路老化成为威胁数字集成电路可......
近年来,随着云计算和大数据的到来,人们对集成电路的可靠性要求越来越高。再加上晶体管尺寸及栅氧厚度的不断缩小,由NBTI效应引起......
随着超大规模集成电路工艺尺寸不断地缩小,电路的性能得到很大的提高,但是同时电路的集成度和复杂度有所提高,由此引起的电路老化......
随着集成电路技术的不断发展，集成电路的性能在不断的提高。然而，集成电路集成度的提高也对其可靠性带来了新的威胁。在集成电路制造......
随着超大规模集成电路（VLSI）进入超深亚微米时代，系统芯片（SoC）工艺尺寸不断缩减，集成度同时快速增长。而物理极限的逼近致使SoC对各种失......
本文主要研究了P型低温多晶硅薄膜晶体管(1(?)TPS TFT)在交直流电应力条件下的退化特性和退化机制。研究内容主要包括：P型多晶硅薄......
为了提高电路的速度和缩小电路耗散功率,半导体器件的尺寸不断的缩小,减小尺寸通常要依靠刻蚀技术来实现。等离子刻蚀是目前VLSI中......
集成电路制造工艺不断进步，电源电压持续降低，集成度大大提高，带动了集成电路产业的飞速发展。然而工艺进步也使得集成电路的老化问题......
45 nm工艺下,负偏置温度不稳定性（negative bias temperature instability,NBTI）效应是限制电路的性能的首要因素。为了缓解NBTI效应......
晶体管老化效应已成为影响集成电路可靠性的重要因素.文中基于晶体管老化效应的物理模型,提出一种电路老化分析框架来预测集成电路......
21世纪,半导体已经与我们的生活密切相关,微电子技术也已经成为我们生活中不可或缺的组成部分。随着超大规模集成电路集成度的增高......
