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随着集成电路的日益发展,生产工艺上铜已经成为首选的布线材料。目前,化学机械抛光（CMP）技术被认为是晶圆平坦化的最好方法之一。但......
在集成电路多层Cu互连化学机械抛光（CMP）后清洗工艺中,需要去除CMP时Cu表面的生成物和残留物,并保护互连金属Cu与阻挡层金属不被腐蚀......
微纳米颗粒的去除是半导体、微电子、微型机械、精密光学等高新技术中的关键问题,而常规清洗方法难以有效去 除。近年来国际上发展......
对喷雾清洗过程中微颗粒所受到的流体力进行了研究.由于液滴撞击在平面上产生的不稳定流,无法用现有的层流作用力公式来预测颗粒所......
硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能,其中表面颗粒度会引起图形缺陷、外延缺陷......
随着极大规模集成电路(GLSI)特征尺寸不断缩小,杂质对器件性能的影响日益严重,对清洗的要求也不断提高。目前,清洗已成为集成电路......
硅中的金属离子杂质会明显降低少子寿命,并进一步影响硅器件的性能。因此对硅片背面喷砂工艺进行了系统的研究。通过喷砂工艺,在硅......
在集成电路制造过程中,巨大规模集成电路(GLSI)多层铜布线片化学机械抛光(CMP)后铜线条表面会生成一些CuO颗粒,这些颗粒不仅对器件......
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