3C-SiC相关论文
当今的许多行业都需要在高温环境下工作的电子器件,如航空航天、火力发电、石油勘探和核能等,而目前的Si基器件的极限应用温度仅达......
用La B6灯丝200 kV高分辨透射电镜拍摄了有小角晶界的3C-Si C/(001)Si薄膜的[1ˉ10]高分辨电子显微像.用像解卷技术把本不直接反映......
3C-SiC作为第三代半导体材料具备禁带宽、临界击穿电场高、电子饱和漂移速度高、热导率高等众多优异的性能,但由于其较大的晶格失......
3C-SiC优异的材料特性使其在高温、高频、大功率以及抗辐射电子器件应用方面具有广阔的应用前景。如果将Si/3C-SiC异质结构中的Si......
立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上.本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微......
基于GGA近似使用第一性原理方法对3C-SiC的ZB至NaCl相的高压相变过程进行了研究,得出中间过渡相的最高对称性为Imm2(而此前有研究......
SiC纤维增韧SiC基复合材料(SiCf/SiC)由于其优越的性能而成为新一代核能系统重要候选材料之一.材料中的缺陷会使材料的力学性能发......
The favourable physical properties of SiC make it a potential material for use as containment layer in new generation nu......
利用第一性原理赝势方法计算了Si0.875X0.125C(X=N、P、As)的电子能带结构、态密度、电荷布居数和静介电常数.计算结果表明:随着N......
Micro-Raman Spectroscopy for Stress Evaluation of 3C-SiC Epitaxially Grown on Si Substrate by Hot Wa
A series of cubic SiC single crystals were heteroepitaxially grown by the hot-wall chemical vapor deposition (CVD) using......
在硅衬底上利用具有质量选择功能的低能离子束沉积技术沉积碳离子制备出除碳、硅之外无其他杂质元素的纯净的立方SiC薄膜.利用X射......
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采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和......
介绍了新近研制出的一种电阻加热式CVD/LPCVD SiC专用制备系统,并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)......
运用分子动力学方法,采用LAMMPS程序模拟了3C-SiC中的级联碰撞过程。研究了不同初始运动方向、不同能量下的PKA级联碰撞产生点缺陷......
