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CMP抛光用纳米氧化铝制备工艺研究
本研究以中铝山东有限公司Al 2(SO 4)3原料,通过与NH 4HCO 3沉淀反应,在pH=5.5~6.0、温度25℃条件下制得纳米级前驱体无定型前驱体......
期刊
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CMP抛光
SiO2抛光液对A1N基片抛光性能的影响
针对A1N基片CMP平坦性问题,从pH值、磨料粒度以及磨料的质量分数等方面研究了抛光液参数对抛光效果的影响.通过对A1N基片进行抛光......
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