MIS器件相关论文
通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar+束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTe MIS器......
介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTeMIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤。研究表明，自身阳极硫化＋单层ZnS对HgCdTe......
通过在P-HgCdTe上生长阳极硫化膜和ZnS介质钝化层,制备出了性能较好的MIS器件,并通过对MIS器件C-V特性的分析,获得了ZnS/自身钝化......
用阳极氧化的方法在InSb衬底上生长氧化膜,并在阳极氧化膜上镀Cr/Au电极以制备MOS器件,通过分析77 K时MOS器件C-V特性,得出InSb-阳......
介绍了HgCdTeMIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤。利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导......
利用水热法在PET-ITO柔性衬底上制备铝（Al）掺杂的ZnO纳米棒（ZnO∶Al）。通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、I......
HgCdTe表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用Br2/CH3OH腐蚀液对液相外延(L......
Ⅱ—Ⅵ族半导体化合物Hg1-xCdxTe材料，随着材料组分变化，它的带隙在-0.3eV～1.6eV的范围内变化。覆盖了大气窗口1～3μm，3～5μm，8～14μm三个......
随着集成电路的不断发展，集成电路特征尺寸不断减小导致漏电流增加，需要采用高介电常数栅介质材料来代替氧化硅材料。因此，针对铪基MI......
