SiC晶体相关论文
石墨作为用于制备第三代半导体常用的坩埚及其它支撑材料,对所制备的半导体的性能具有重要影响。石墨是目前半导体制备使用最多的......
本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达1......
采用物理气相传输法(PVT)生长了不同直径的SiC单晶。使用多线切割机、双面研磨机、双面抛光机对SiC晶体进行了切割、研磨和抛......
SiC作为第三代半导体材料具有巨大应用潜力，但PVT法生长的SiC晶体中存在的大量缺陷严重限制了其器件应用。研究表明非均匀热场所引......
影响SiC器件商品化进程的主要问题是器件特性和制造成本,而制约SiC器件最佳性能和降低成本的主要因素是SiC晶体的尺寸和结晶品质。......
