SiNx相关论文
设计了一种基于SiNx填充的定向耦合器（DC）型偏振无关解复用器，用于分离1310 nm和1550 nm两个波长的光信号。采用等离子体增强化学气相......
针对氮化硅表面制作的剥离胶膜底切宽度不稳定的问题，采用碱溶液处理SiNx表面，研究SiNx表面状态与剥离胶膜底切宽度的关系。结果表明......
针对目前大部分偏振无关光功分器结构复杂和损耗大的问题，文章设计了一种基于Si/SiNx双层波导的偏振无关光功分器，用于1 550 nm波长......
针对目前基于p型硅片制备的单结太阳电池进一步提高表面钝化膜生产效率,利用氮化硅(SiNx)薄膜良好的钝化效果与价格低廉的二氧化钛......
在PECVD沉积SiO2和SiNx掩蔽层过程中,分解等离子体中存在较高浓度的H原子使得Mg-受主钝化和在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特......
分析了目前Low-E玻璃存在的问题,给出了解决办法及思路,介绍了碳化硅膜层的特性以及在镀膜领域尤其是低辐射膜层(Low-E)中的应用,......
利用管式PECVD在晶硅太阳电池上制备3种不同结构的SiNx∶H减反射膜:第一子层(靠近基底硅)折射率大于第二子层的双层减反射膜、第一......
系统研究了纳米量级的多孔 SiNx插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响.高分辨X射线衍射测量结果表明:SiNx插入层生长在CaN......
利用微波电子回旋共振增强磁控反应溅射法在不同基片温度下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶变换红外光谱、透射电子显微镜、台阶仪、......
