考虑到实际应用对可靠性、设计成本及能耗的要求，增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件比传统耗尽型GaN HEMT器件优势更显著。目前......

随着5G通讯及轻型紧凑类消费电子产品市场的迅速发展,氮化镓（Ga N）功率器件凭借高功率密度、高开关速度响应等优势,在半导体器件中展......

GaN基蓝光、近紫外光及深紫外光LED在照明、显示、医疗与消毒杀菌等领域有着广阔的应用与需求。在GaN基倒装和垂直结构LED中,高反......

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有高击穿场强、高电子迁移率以及较强的抗辐射能力和良好的导热性能等优点受到人们的广泛关注......

研究了碳杂质对p-GaN的补偿作用.采用金属有机化学气相沉积法生长GaN∶Mg材料,实验发现,当生长温度从1000℃提高到1050℃时,p-GaN......

第三代半导体材料氮化镓(GaN)因具有击穿电场高,禁带宽度大,电子迁移率高等特点,在高温高频、高功率军用电子以及5G通讯等领域有着......

GaN基蓝绿光LED在固态照明、背光、大屏幕显示、信号灯等方面得到了广泛的应用。GaN基紫外、深紫外LED在杀菌消毒、生化探测、医疗......

We demonstrate the key module of comparators in GaN ICs,based on resistor-transistor logic(RTL)on E-mode wafers in this ......

在PECVD沉积SiO2和SiNx掩蔽层过程中,分解等离子体中存在较高浓度的H原子使得Mg-受主钝化和在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特......

本论文通过正交试验对透明导电薄膜ITO 蒸发厚度、退火温度、退火时间及退火时N2流量进行研究，并将制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN......

通过优化Mg流晕增强了MoCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明卒穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到......