Si掺杂相关论文
Ni2MnGa合金是一类新型的铁磁性形状记忆合金,具有多重优异的磁控功能,在磁驱动器件、磁传感器及磁制冷等领域具有巨大的潜在应用......
随着特征尺寸的不断减小,Flash存储器已经进入后摩尔时代,其发展的难度越来越高,同时短板也逐渐显现。阻变存储器（Resistive Random......
Ⅲ-Ⅴ族材料比Si具有更高的载流子迁移率和吸收系数,因此III-V族化合物半导体被广泛认为是新一代光电子器件取代Si更有前途的候选......
用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ......
金属以及金属间化合物的表面抗氧化问题影响着材料的实际应用和发展,其中,γ-TiAl合金的表面氧化问题一直是人们关注的焦点。本文......
CrN涂层因具有高硬度、低摩擦系数和强附着力等特性,被作为表面防护材料广泛应用于各种工件,可有效提高工件的工作效率,延长其服役......
InxAl1-xN作为第三代的半导体材料,由于其具有禁带宽度在0.76.2 eV的范围内连续可调,临界击穿电压高、抗辐射能力以及化学稳定性好......
采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs).通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品......
为了制备一种新型的硅掺杂金刚石薄膜，我们采用理论计算结合实验制备的方法对其进行了研究。已经有一些学者对硅掺杂金刚石薄膜进行......
本文论述了Si掺杂SbTe相变存储介质及其器件的基础研究。 便携式电子产品的蓬勃发展要求未来的存储器必须具有速度快、存储密度......
对钢铝复合材料高温时的界面化合物进行了系统研究并找到一定的方法抑制界面化合物的生成.要获得高品质的复合带材,就必须在高温时......
采用基于密度泛函理论的原子轨道展开方法的第一性原理计算了Mg1-xSixO体系的电子结构、用SIESTA软件包计算了Mg1-xSixO体系的晶胞......
以TiCl_4和Na_2SiO_3为原料,采用水热法制备了一系列掺杂Si的纳米TiO_2粉体.采用X射线衍射分析(XRD),红外光谱(FT-IR),紫外可见吸......
