对全耗尽 SOI CMOS技术中的 Ge预非晶化硅化物工艺进行了研究 .Ge的注入 ,使 Si非晶化 ,减小了硅化物的形成能量 .Ti硅化物在非晶......

FD-SOI(全耗尽绝缘硅)是指一种平面晶体管结构。这种平面架构是通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层(BOX)上再生长一层超薄的单......

描述了厚度为１．６ｍ ｍ 灵敏面积为１０ｍ ｍ 的全耗尽型面垒探测器的研制及性能，同时给出了这种探测器用于硬Ｘ射线（２ｋｅＶ＜ Ｅｘ ＜ ２０ｋｅＶ）辐射场的模拟测试结果。 The......

阳气是人体物质代谢和生理功能的原动力，是人体生殖、生长、发育、衰老和死亡的决定因素。人的正常生存需要阳气支持,所谓“得阳者......

采用双多晶硅栅全耗尽CMOS/SIMOX工艺成功研制出双多晶硅栅器件 ,其中N +栅NMOS管的阈值电压为0.45V ,P +栅PMOS管的阈值电压为 -0......