压敏电压相关论文
三氧化钨（WO3）是一种重要的功能材料,因具有良好的电致变色、光致变色、电化学性能而得到广泛的研究和应用。近年来,人们又发现了WO3......
ZnO压敏电阻的老化主要由施加电压及温度因素造成,为研究其在工作电压下的热电特性,利用建立的压敏电阻交、直流老化试验平台,开展......
采用溶胶-凝胶法成功制备了梯度掺杂CaCu3Ti4-xZrxO12(x=0、0.05、0.10、0.15、0.20)薄膜.通过X射线衍射及扫描电镜对其相结构及显......
ZnO系压敏陶瓷广泛应用于高压领域的避雷器和低压领域的电路保护中,涵盖了各行各业的电力电子设备。近年来,电子技术迅猛发展,电子......
自从1969年发现ZnO压敏材料以来，人们对其进行了广泛、深入的研究，到八十年代中后期，ZnO压敏材料的开发应用日渐成熟。但由于掺杂量较......
本文测量了在ZnO中加入少量的TiO2或CuO后样品中的电子密度及其电阻率。以此为基础，采用固相反应法分别制备了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-M......
研究了Co、Mn的不同掺杂形式对低压ZnO压敏电阻显微结构和电性能的影响。发现以Co(NO3 ) 2 、Mn (NO3 ) 2 溶液代替CoO、MnO2 掺杂......
研究了 Zn O压敏电阻器的通流量、非线性系数α值及压敏电压与粉料粒径和 Sb2 O3含量的关系。研究结果表明 ,适当添加 Sb2 O3,将粉......
以固相法合成 Sr Ti O3+Nb2 O5 +Mn O2 作为基本系统 ,分别采用草酸盐热分解法制备 Sr Ti O3主晶相及L i2 CO3代替 Mn O2 作受主掺......
研究Ta2 O5对 (Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2 基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响 ,发现按配方TiO2+0 .3%(SrCO3+Bi2 O3+SiO2 ) +0 .1 ......
研究Ta2O6对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着Ta2O5增加,晶粒电阻呈现"U"字型变化规律,按照配方TiO2+0.3%......
为了研究某电爆管在贮存过程中的性能变化情况,采用加速寿命试验的方法,在温度为71℃和温度为71℃、相对湿度为50%的加速老化试验......
为了抑制压敏防雷芯片边缘低熔点元素在烧结过程中的挥发,在芯片侧面涂覆不同配方高阻釉,研究其对压敏防雷芯片电性能的影响。结果......
以稀土氧化物Eu2O3为添加剂,采用固相反应法制备了不同掺杂比例(x=0、0.2％、0.5％、1％(质量分数))的CaCu3Ti4O12(CATO)陶瓷样品.采用X......
以GDARE法沉积的低压ZnO压敏薄膜为多孔性超微粒结构,沿c轴高度取向.经一定温度热处理后,薄膜具有较好的非线性V-I特性,漏电流小,......
