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恶性肿瘤严重影响着人类的健康,肿瘤的发病率也呈现逐年上升的趋势,肿瘤的早期诊断和治疗在很大程度上决定了肿瘤的预后。现有的肿......
提出一种600 V N型双栅LDMOS新器件结构,能够减小总剂量(TID)辐照导致的阈值电压漂移。与常规600 V NLDMOS相比,所提出的双栅由厚......
Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(DGTFET)较传统硅基DGTFET有更好的电学性能.文章基于Sentaurus TCAD仿真软件,构建了有/无Pocket......
目的:恶性肿瘤是当今威胁人类健康的主要因素之一,早期诊断和及时治疗可以明显提高患者术后的生存质量和五年生存率。因此,肿瘤标......
对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅......
