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荧光粉是白光LED中不可或缺的组成部分,开发出性能优异的荧光粉成为众多科研人员追求的目标。A2B’B"O6型钙钛矿氧化物具有丰富结......
通过调节基质组份比例,研究了SrAl2xO3x 1:Eu2 ,Dy3 (x=1-2)荧光粉晶体结构,发光性质及长余辉特性。选取硝酸锶和硝酸铝作为基质原......
钨酸铅晶体是一种新型无机闪烁材料，本文切割并用X射线衍射法定向了用改进的坩埚下降法生长的两块无色透明钨酸铅晶体。用群论分析......
为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长......
通过对光激励发光读出过程中各种电子转移过程的分析,建立了描述该过程的动力学方程组,通过求解在理论上得出了X射线影像存储材料......
用射频磁控反应溅射方法，在高纯Ｎ２、Ａｒ（纯度均为９９．９９９％）的气氛中，以高纯Ａｌ为靶材，成功地制备了ＡｌＮ薄膜．研究了不同气体组分、不同衬底温度对薄膜结晶性的......
以Keggin结构钴取代杂多硅钨酸盐异构体α,βi-K6-nHn[SiW11Co(H2O)O39·]xH2O(βi=β1,β2,β3)为掺杂剂,采用固相合成法制备了4......
体硅由于是间接禁带半导体，因而其发光性能很差。但是当硅晶体的尺寸降为纳米尺寸时，带来了新的光学特性。自从在硅纳米晶镶嵌二氧化......
本论文采用电化学腐蚀法制备多孔硅，通过浸泡液分离多孔层后，在表面形成丰富的SiOx包裹纳米硅线和纳米孔，测量了它们室温下的光致发光......
光激励发光材料作为一种新型的材料广泛应用在红外探测、成像、光存储、光学信息处理、辐射计量测定等方面.本论文首先对光激励发......
光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一，光电子集成器件在信息时代有极其重要的作用。由于硅的平面集成工艺已相当成熟，所以从工......
Si SiO2 薄膜采用射频磁控溅射技术制备 ,当正向偏压大于 5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au (Si SiO2 ) p Si结构在室温下的可......
采用磁控溅射技术制备了 Si/ Si O2 超晶格薄膜 ,在正向偏压大于 4 V即可观测到了来自Au/ ( Si/ Si O2 超晶格 ) / p - Si结构在室......
利用射频磁控溅射方法，制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米(SiO2/Si/SiO2)/p-Si结构和纳米(SiO2∶Al/Si/SiO2∶Al)/p-......
