开关瞬态相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

开关瞬态相关论文

6.5 kV SiC MOSFET的优化及开关特性

优化设计了电力系统用6.5 kV SiC MOSFET,测得该器件的导通电流为25 A,阻断电压为6 800 V,器件的巴利加优值（BFOM）达到925 MW/cm~2。......

期刊

碳化硅（SiC）金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）开关瞬态栅电荷栅极电压振荡

直流断路器用IGBT栅极驱动参数对器件关断特性的影响研究

高压直流(HVDC)技术近些年得到了快速的发展,特别是高压直流多终端(MTDC)。作为直流电网故障隔离和清除的重要技术手段,高压直流断......

学位

高压直流直流断路器 IGBT 栅极驱动开关瞬态驱动器影响

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