栅电荷相关论文
分离栅（split gate trench,SGT）MOSFET器件是电机驱动、电池管理模块中功率管理的核心。器件开关速度、功率损耗等将直接决定系统的......
学位
优化设计了电力系统用6.5 kV SiC MOSFET,测得该器件的导通电流为25 A,阻断电压为6 800 V,器件的巴利加优值（BFOM）达到925 MW/cm~2。......
随着电子电力系统的发展,对半导体电子器件在高温、高压、高频和强辐射环境下的性能也提出了更高的要求。碳化硅材料因其禁带宽度......
低压功率沟槽MOSFET以其输入阻抗高、开关速度快、输出电流大和热稳定性好、安全工作区大等优点，在电源保护、开关电源、DC/DC变换......
栅电荷是用于衡量功率MOSFET开关性能的重要参数,通常采用在栅极输入电流阶跃信号的方法来测量。一种新型的栅电荷测试电路被提出,......
