扩散长度相关论文
为研究主流成人纸尿裤的使用性能及舒适性,选取国内市场上5种品牌的成人纸尿裤进行拆解,得出各层结构的基本信息,对各品牌纸尿裤进......
介绍了运用晶硅太阳能电池电致发光成像法检测分析太阳能电池组件缺陷的方法。基于晶体硅电池的电致发光理论，分析电致发光强度与少......
介绍了利用１．０６μｍ准连续ＹＡＧ激光对红外滤光片进行损伤的实验，从薄膜热物性的角度确定红外滤光片的损伤阈值．通过对红外滤光片的损伤过程的研......
由于得到HgCdTe扩散长度Lp的标准测试结构会损伤p-n结单元,实验中广泛采用激光束诱导电流(LBIC)提取的等效扩散长度L来代替Lp.本文......
目的 研究直肠癌远端壁内扩散的规律 ,为临床保肛手术提供依据。 方法 收集广州中山医科大学肿瘤医院 1996年 8月～ 1997年 10月......
<正> 近年来,对砷化镓光电器件的研究结果表明,用作衬底的砷化镓晶体,以掺Si材料为佳.与掺Te和掺Sn的相比,它的发光输出量大,晶体......
从GaAs/电解液界面的电化学研究,提出了一种适合于测定化合物半导体少子扩散长度的光电化学新方法──电化学光伏法,用它成功地测......
异质结 PIN 光探测器可分为单异质结光探测器(SHPD)和双异质结光探测器(DHPD),二者在量子效率、频率响应和暗电流方面存在差异。当......
随着市场对射频微波电路性能要求的不断提高,半导体器件的制作工艺受到射频微波工程师们广泛的关注,对于给定结构但实际上无法制作......
对减薄至2001μm的多晶硅电池片进行双面扩散、背靠背扩散对比研究.实验表明:双面扩散和背靠背扩散均具有良好的吸杂效果,少子寿命......
针对已有的晶体硅太阳电池基区少数载流子的扩散长度测量模型和测试方法中存在的不足,建立利用光谱响应研究硅太阳电池基区少数载......
用慢正电子束辅助以拉曼光谱方法对一批较高质量的PECVD金刚石膜的微结构进行测量研究.拉曼光谱实验结果显示,这批金刚石膜中金刚......
对在不同极板负偏压下采用射频-直流等离子体方法制备得到的类金刚石膜（a-C：H）的微结构进行了测量,利用慢正电子束实验装置,探测并分......
对国外标准三代、高性能三代、超三代和四代GaAs光电阴极进行了光谱响应曲线比较.结果显示,GaAs光电阴极的积分灵敏度、响应的截止......
研究一级时效、两级时效和多级时效处理对Sm（CoFe0.20Cu0.12Zr0.03）7.5磁性能的影响,并引入扩散长度探讨材料时效处理动力学机制。结......
建立数学模型是研究染料敏化太阳电池的强有力工具，通过模型研究可以发现影响光电转换的关键因素，为进一步提高电池光电性能提供理论......
采用粉末冶金工艺制备了Sin（Co．Fe，Cu，Zr）z（6．5〈z〈8．5）烧结磁体，通过改变时效处理温度和时效时间等一系列处理方法对同一种成分和烧结工艺......
研究了变掺杂浓度结构对GaAs负电子亲和势光电阴极积分光电灵敏度的影响．通过MBE生长了两组GaAs同质外延样品．其中一组采用了均匀掺......
报道了a—Si:H的光吸收系数计量模式对少子扩散长度SPV法测量结果的影响。得出了a-Si:H表面存在氧化层的结论,并导出了一个与实际......
利用光谱响应测试仪对激活后的反射式GaAs(Cs,O)光电阴极进行了稳定性测试,获得了阴极随时间变化的光谱响应曲线,并表征了阴极在衰......
<正> 用鍺或硅制成的二极管和三极管已获得了越来越广泛的应用。在一般的二极管中,扩散长度L(指半导体由少数載流子的)比起基区厚......
为了探讨婴儿纸尿裤结构与性能之间的关系，对市场上常见的几种不同结构的纸尿裤进行性能测试，测试了纸尿裤的吸收性能、经多次液体渗......
介绍了用表面光电压（SPV）法测试少数载流子的扩散长度、少子寿命和体Fe含量的基本原理及其计算方法，分析了三种常见外延结构中少子扩......
利用脉冲恢复技术测量了有限宽基区n＋-on—P光电二极管中的少子寿命．实验发现，反向恢复时间同正、反向电流的大小有关．从恢复时间t。与......
为了获得高量子效率的GaAs光电阴极,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长,且电子表面逸出几率大,这对p型掺杂浓度提出了两个矛盾的要......
半导体光集成技术能在同一基片上实现具有多种带隙的有源器件和无源器件的组合,这使其在器件集成占有非常重要的地位。其中量子阱......
<正> 太阳能电池可提供无污染的能源,是一种极有发展前途的半导体器件,它的发展日益受到重视。高质量、大批量生产太阳能电池的技......
<正> 1986年交通部颁发的《公路路基设计规范》第三章“挡土墙”,系遵照交通部1972年颁发的《公路工程技术标准》(试行)的原则及参......
期刊
表面光电压法可以非破坏性检测抛光片、外延片的扩散长度(从而可以推算出少子寿命),能测量扩散长度在晶片表面各点的分布,而且可以......
结合PC1D模拟软件,对减薄至200μm的多晶硅电池片进行双面扩散与背靠背扩散的对比研究。试验表明:双面扩散工艺和背靠背扩散工艺均......
采用微波反射光电导衰减法设计了测试少子寿命的演示实验装置.实验装置主要由脉冲激光源、微波发射接收和数据采集处理系统等部分......
我们采用电容器法,测量了半导体在脉冲单色光照射下总光生电动势的光谱分布,发现p型硅在光波波长λ>1.08μ后,总光生电动势发生变......
负电子亲和势砷化镓(GaAs)光电阴极具有量子效率高,暗发射小,发射电子能量分布及角分布集中,长波阈可调,长波响应扩展潜力大等优点......
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一、引言锑化铟(InSb)是近年来引起人们极大兴趣并被广泛研究的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。 InSb和锗(Ge)、硅(Si)相比虽是一发现......
半导体材料中的微量缺陷能够在很大程度上影响其光电特性,不同类型的缺陷造成的影响也不一样.本文以数学物理方法中的差分解法为基......
基于辐射复合理论，建立晶体硅太阳电池电致发光强度的数学模型，从所建立的数学模型出发，理论上计算电致发光光谱，分析电致发光强度与正......
根据电子辐照条件下的常规三结砷化镓太阳能电池光谱响应以及电池电流的损伤特征,确定电池衰减的物理机理：中电池在电子辐照后形成......
针对架桥生长的半导体型单壁碳纳米管中激子的扩散特性,建立激子的一维扩散模型,进而考察研究碳纳米管中激子的扩散及复合发光过程......
