溅射法相关论文
本课题介绍了一种不常见的直流溅射法制备纳米薄膜材料的新型方法，即对于不导电的有机小分子物质，通过导电的方式制备成纳米薄膜，即材......
用激光溅射法产生并在射频离子阱中囚禁了碳原子簇离子，进而利用离子阱的质量选择存储和离子存储时间长等特点，研究了经过选择存储的......
氢气是一种新型的清洁可再生能源,具有能量密度高、应用广泛等优点。氢燃料电池是新能源汽车最理想的动力源,含氧烃类化合物的水蒸......
脉冲激光溅射镀膜是一种高质量的薄膜制备技术，本文研究分别以ＳｎＯ２和纯锡作靶，用此技术生长的ＳｎＯ２膜的结构及对氢、乙醇的气敏性，探索将此技术......
在不用金作掩蔽膜的情况下，在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀，制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＋－ＩＳＦＥＴ。测试结果表明，该器件在灵敏度......
用激光溅射金属氧化物的方法在射频离子阱中产生了Ｃｏ和Ｔｉ的多电荷离子，结合离子阱选择囚禁技术和垂直交叉离子束碰撞冷却方法，得到了稳定......
本文对溅射法制作CrSi薄膜电阻工艺技术进行了研究。文章介绍了使用直流磁控反应溅射工艺攻克该难题的方法,即通过对影响电阻结构......
对软基底薄膜热敏电阻器的可靠试验进行了研究，由试验数据找出失效原因，并提出改进措施。
The reliable test of soft base film th......
氧化锌是继GaN后的一种自激活Ⅱ一Ⅵ族直接型宽禁带(3.37eV)半导体，激子结合能高达60meV(GaN：21meV)，产生受激发射的波长比GaN的更短，......
本文对含轻稀土磁致伸缩材料及MnBiAl薄膜的制备及性能进行了研究。 鉴于稀土化合物凝固结晶的特点，对区熔法进行了改进，将电弧炉......
氧化锌(ZnO)是一种具有六方纤锌矿晶体结构的宽禁带II-VI族半导体材料,由于其优良的特性,在太阳能电池、紫外探测器、声表面波器件......
随着电子设备小型化、高频化的不断发展,应用于电磁器件的高频软磁材料成为一个十分活跃的研究领域。理论和实验表明,CoFe基软磁性......
AZO（掺铝氧化锌,Al-ZnO）靶材质量是影响溅射法制备薄膜的关键因素之一。AZO靶材主要制备工艺有常压烧结、热等静压烧结及真空烧结等......
铌酸锂晶体作为一种性质优良的铁电晶体，具有十分优良的电光、非线性光学、铁电及光生伏打等诸多物理特性，出众的特性使它日益成为诸......
本文在综述硅基SiO薄膜研究进展、表征方法、研究方法的基础上，着重研究射频溅射法制备硅基SiO薄膜的工艺，发展该类薄膜制备的新技术......
掺锡氧化铟(ITO)薄膜材料是一种锡掺杂的半导体材料,其优良的光电性能被广泛的应用于透明导电膜的制备中。目前其应用主要是采用溅......
VO2是一种倍受关注的智能温控材料,随着温度的变化,在68℃时,其电学、光学性质随着晶态结构发生从低温半导体相—高温金属相的转变......
迄今所发现的软磁Ｆｅ基和Ｃｏ基非晶合金有ＦｅＰＣ,(Ｆｅ,Ｃｏ)ＰＢ、(Ｆｅ,Ｃｏ)ＳｉＢ,(Ｆｅ,Ｃｏ)(Ｃｒ,Ｍｏ,Ｗ)Ｃ,(Ｆｅ,Ｃｏ)Ｚｒ,(Ｆｅ,Ｃｏ)Ｈｆ、(Ｆｅ,Ｃｏ)(Ｚｒ,Ｈｆ,Ｎｂ)Ｂ系,其中熔体旋淬(Ｆｅ,Ｃｏ)类金属非晶条带,以及溅射法制取的(Ｆｅ,Ｃｏ)(Ｚｒ,......
图2为采用GFS法沉积出AZO膜的XRD图,其中,Ar流量为3000 sccm,总气体压强为50 Pa,O2流量为10 ～ 50 sccm.沉积在未加热衬底玻璃上的AZ......
图4a和4b分别为在UV-近红外光谱,刚沉积和经后退火工艺两种情况下的TiO2膜.以上两种情况在可见光区域透射比几乎相同,与后退火无关......
用溅射法制作了不同的Fe-Al2O3颗粒薄膜,用样品振动型磁力计测定了磁化曲线和巨磁阻曲线,并对其进行了分析和讨论.......
采用真空蒸镀法制备了以TeOx 薄膜为记录层的可录光盘 ,采用溅射法制备了以Ag In Sb Te O为记录层的可擦重写光盘 ,并测试了这两种......
本文研究由溅射法制备的非晶态Tb-Fe硅基薄膜在室温下的磁致伸缩特性,从中找到一种在低磁场下仍具有较大磁致伸缩性的材料.研究结......
为了探索隧道磁阻(TMR:tunneling magneto resistive)对溅射法制作的Fe-Al-O颗粒薄膜与铁(Fe)粒子注入Al2O3颗粒薄膜起不同的影响......
对rf溅射法制备的xFe-Al2O3颗粒薄膜,应用X射线衍射仪(XRD)进行了测试和分析,推算了不同样品中Fe粒子的大小和元素面积比.并使用4......
