电阻开关效应相关论文
近年来，金属-绝缘体-金属（MIM）结构中发现的电场/电流导致的电阻开关效应（RS effect）引起了研究者的广泛关注。RS效应涉及强场下的电输......
近年来,电阻开关效应（Resistive switching effect）引起了人们的广泛关注。基于电阻开关效应的电阻型随机存储器（Resistive Random Ac......
纳米尺度的金属半导体材料一般会表现出较之于块状材料更加优越的光电效应以及更加明显的量子效应,使其目前在能源、信息、科技、......
GeSe2是一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度为2.7eV,是IVA-VIA族化合物家族中的重要成员。作为一种新型的多功能材料,GeSe2因其在光......
随着纳米技术的发展,出现了一系列应用前景广泛的半导体化合物材料。氧化锌（ZnO）属于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,是一种宽禁带直接带隙材料......
2000年,美国休斯顿大学的科学家S. Q. Liu等人发现电脉冲触发可逆电阻转变效应,他们并提出RRAM(resistance random access memory)......
