碰撞电离相关论文
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（Silicon-On-Insulator Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,SOI-LIGBT）器件因其耐压能力......
为研究空间环境中通用航天器表面覆盖的热控层电磁辐照效应,采用粒子模拟(PIC)和蒙特卡罗(MC)模拟相结合方法,建立了真空环境下电......
阐述了当前硅量子点(QDs)太阳电池的发展概况。介绍了量子限制效应引起的碰撞电离和多激子产生现象,分析了硅量子点太阳电池设计理......
近些年来碳化硅(SiC)材料已经成为了功率半导体行业的一个研究热点,SiC功率MOSFET器件更是被广泛应用于工作在高压、高频尤其是高......
原子和分子的非序列双电离过程包含了两个电子之间的关联信息,因此原子与分子非序列双电离现象是强场物理研究的一个重要分支。与......
一、金属中的电流 金属中的自由电子定向移动形成电流.自由电子定向移动的速率与导体中的电流强度、横截面大小以及自由电......
本文提出一种在激光等离子体中产生高丰度高电荷态离子的新途径，即通过共振光激发和碰撞电离混合过程来实现．模型计算表明，这一混合过......
采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构.对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试.测试结果表明,优化后的多......
超大规模集成电路的迅速发展,迫切要求提高整个电路系统及单个器件的性能与可靠性,这是因为集成电路是由元器件组成的,单个器件的......
该文利用全相对论的扭曲波玻恩交换近似方法对电子与高Z高电荷态离子碰撞电离开展了研究.同时,考虑到惰性元素的离子的电子碰撞过......
本论文的主要部分是从理论上研究在线形极化的激光外场下，快正电子(电子)碰撞氢原子电离过程。内容涉及无场时(e,2e)过程基础知识，激......
针对不同波段的碲镉汞红外探测器在探测高温目标情况下的特性进行了研究。测量结果显示随着所探测目标温度的不断升高,器件光生电......
对GaAs光导开关非线性工作时,负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析,给出了考虑和未考虑碰撞电离作用时的外电路电流输出波......
研究了场板终端技术对改善MOSFET栅下电场分布和碰撞电离率的作用,结果表明,MOSFET在高压应用时,漏极靠近表面的PN结处电场最强,决......
重点研究了多级倍增超晶格InGaAs雪崩光电二级管(APD)的增益和过剩噪声,建立了新的载流子增益-过剩噪声模型。在常规弛豫空间理论......
本文在一级Born近似下,研究了激光场中正电子对基态氢原子的碰撞电离反应,并与入射粒子为电子的(e,2e)反应进行了对比.激光场中正......
激光照射下光学材料的损伤过程中,导带电子的加热和碰撞电离是非常重要的过程,影响着导带电子的产生、晶格能量的沉积和破坏.分析......
期刊
