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硅基自组织锗量子点（Ge量子点）因其与互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS）工艺兼容和对应于通讯波段......
AlGaN基LED芯片是新一代固态光源,具有节能、寿命长、用途广泛、波长从深紫外到蓝光波段连续可调等优势,可用于医疗消毒、工业固化......
半极性（11（?）2）面AlGaN材料作为深紫外发光二极管（UV-LED）有源区材料可以有效抑制传统c面AlGaN的量子限制斯托克斯效应（QCSE）,而AlGaN纳米......
氮化铝(AlN)作为第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，介电常数小，电子漂移速率较高，导热率高，化学性质稳定等许多优良的特性，是深紫......
本文采用水热法,以SnC l4.5H2O为前驱物,NaOH为矿化剂,在180℃,填充度为68%,通过加入不同量的NaOH,调节溶液pH值分别为2、4、11,合......
光伏电池是一类能够将光能转化电能并加以利用的重要光电器件。对光伏电池的研究主要在于如何提升其光电转换效率,更加高效地实现......
AlGaN材料可以通过调节铝组分使其禁带宽度从3.4eV(GaN)连续变化到6.2 eV(AlN),覆盖了从近紫外到深紫外波段,因此被广泛应用于LED......
随着电子信息技术和传感器技术的发展,植入式电子器械得到广泛应用。作为植入式电子器械的核心器件,植入式电极充当了从生物体获取......
随着能源危机和环境污染的逐渐加剧,人们对可再生能源的需求也越来越大。太阳能取之不尽,用之不竭,是能源技术领域发展最快的新能......
ZnO是典型的第三代宽带隙半导体,是II-VI族直接带隙半导体,其禁带宽度为3.37e V,室温下激子束缚能高达60me V,远大于室温的热离化......
Ⅲ族氮化物是一种直接带隙半导体材料，拥有诸多优异的物理化学性质，通过改变合金比例，其禁带宽度在0.7eV到6.2eV间连续可调，发光波长可......
相对于传统Si材料，宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料具有较高击穿电场，较高饱和电子速率，较大热导率，较低本征载流子浓度以及抗辐射和抗化......
随着纳米技术的逐渐发展，纳米管、线、柱、棒以及核壳等形状的纳米材料引起了研究学者们的极大关注。另外，他们在新型国防建设、医疗......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
以多孔阳极氧化铝为原料,用NaOH溶液进行化学腐蚀,控制适当的条件得到氧化铝纳米柱和纳米柱团簇结构.利用扫描电子显微镜对其结构......
采用直接热蒸发锌粉的方法在硅(001)基底上制备ZnO纳米结构,生长温度分别为550℃和600℃,得到ZnO纳米柱和纳米蝌蚪.XRD和Raman光谱......
提出一种改进的自旋转移矩器件的制备工艺:在电子束曝光形成纳米级图形之后,依次采用离子束刻蚀、带胶绝缘层淀积再正胶剥离的图形......
本文采用水热法,以SnC l4.5H2O为前驱物,在180℃,填充度为68%,反应时间8h,强酸环境条件下合成了SnO2纳米金红相晶体,直径约为5~10n......
