阻变相关论文
铁酸铋（BiFeO3,BFO）材料具有较高的铁电居里温度与反铁磁奈尔温度,同时其理论剩余极化值高、光学带隙低,在磁电存储器、铁电存储器、......
随着手机、笔记本电脑等便携式电器的普及,以及近几年来互联网技术和新型智能化电子产品的快速发展,非挥发性存储器在整个半导体行......
摘 要：本文探讨了氩气等离子处理对TiOx薄膜阻变性能的影响，并根据阻变性能的变化，提出了改变等离子处理条件来优化阻变性能的思路。......
信息存储技术在21世纪越来越被人们关注,因为传统的存储技术已经逐渐的出现了技术瓶颈,人们希望通过研究新材料和开发新技术用来制......
半导体存储器是电子设备最基本的元器件之一,是现代信息技术的重要组成部分,随着互联网的迅速发展,人们对于数据的需求急剧增加,因......
在当下信息化时代中,存储器扮演着不可或缺的角色。铁电非易失性存储器与其它几种存储器相比,在开关速度、电阻比、保持性和循环性......
当前人工神经网络的模拟计算过程有必要在微观动力学层面找到神经元或突触的模拟单元,利用忆阻器来模拟人脑突触的可塑性行为近年......
铁电材料在室温下表现出可翻转的自发极化,在未来的多功能计算、数据存储、光电探测、光催化、以及光伏领域具有巨大的潜在应用价......
如今,“大数据”,“云计算”,“人工智能”等关键词几乎已经成为当今科学技术发展的代名词。信息化、智能化已成为未来大势所趋。......
强关联电子体系材料因其丰富而有趣的物理性质在过去的数十年里被广泛关注。通过晶格、电荷、轨道和自旋自由度之间的重组可以实现......
本文从二极管类型、器件组成和单元结构综述了1D1R型阻变存储器的研究进展。二极管可分为硅基二极管、氧化物二极管(p-n结型、肖特......
忆阻器由于其非易失性、低功耗、擦写速度快等优点,在存储器、逻辑器件和计算等领域具有广阔的应用前景。另一方面,二维材料由于二......
