改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理研究

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ymz

【摘要】

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SiGe-on-Insulator(SGOI)是一种新型的SOI材料,在微电子领域具有广泛的应用前景.本文对原有Ge浓缩技术进行改进,将Si/SiGe/Si三明治结构通过氧化退火,成功制备出了Ge含量高达

【作者】

：

张苗狄增峰刘卫丽骆苏华宋志棠林成鲁朱剑豪

【机构】

：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

【出处】

：

第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

【发表日期】

：

2005年期

【关键词】

：

改进型浓缩技术元素氧化退火材料微电子领域三明治结构应用前景退火过程均匀分布高温条件氧化层应力实验入位聚集含量

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SiGe-on-Insulator(SGOI)是一种新型的SOI材料,在微电子领域具有广泛的应用前景.本文对原有Ge浓缩技术进行改进,将Si/SiGe/Si三明治结构通过氧化退火,成功制备出了Ge含量高达18﹪的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期时Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.

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