n型4H-SiC材料有效载流子浓度和霍尔迁移率温度特性的研究

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pankerong

【摘要】

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本文建立了n型4H-SiC材料有效载流子浓度与霍尔迁移率随温度变化的关系模型,得到不同掺杂浓度和补偿率条件下有效载流子浓度随温度变化的曲线.考虑了五种散射机制对霍尔迁移

【作者】

：

张义门郭辉贾威张玉明

【机构】

：

西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

【出处】

：

第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

【发表日期】

：

2005年期

【关键词】

：

材料有效载流子浓度霍尔迁移率随温度变化散射机制掺杂浓度电子霍耳迁移率中性杂质散射声子散射关系模型补偿率曲线模拟规律

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本文建立了n型4H-SiC材料有效载流子浓度与霍尔迁移率随温度变化的关系模型,得到不同掺杂浓度和补偿率条件下有效载流子浓度随温度变化的曲线.考虑了五种散射机制对霍尔迁移率的影响,模拟了电子霍尔迁移率随温度变化的规律.在温度较低且掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大,而在温度较高时,谷间声子散射成为主要的散射机制.

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