有机发光二极管（OLED）作为新一代冷光源,有着低成本、效率高、视角广、对比度大、响应快速、可柔性制造等诸多优点,在照明和显示技术中有着重要应用。倒置型有机发光二极管相比于传统正置器件,更易于目前主流的AMOLED的n型氧化物薄膜晶体管的漏极相匹配,对于发光器件的稳定性、显示面板制造工艺的简化以及分辨率的提高有着重要意义。本文致力于得到具有短波长、高量子效率及高辐射度的倒置型OLED器件,对基于倒置结构的器件设计和峰值波长变化进行研究。主要包括以下内容:（1）使用ZnO作为倒置OLED的电子传输层,并使用PEI自组装层对ZnO进行修饰,PEI层可以降低ZnO层的表面粗糙度和提高其LUMO能级,有利于降低电极与有机层的注入势垒并提高电子的注入。基于倒置结构,得到了369 nm的超短波长发光波峰,为目前报道的有机物作为发光层的最短发光波峰。其发光峰值随着厚度的减少而出现蓝移现象。研究了TAZ厚度的改变带来的激子寿命变化,测量不同厚度TAZ层的荧光寿命可以发现随着TAZ厚度的减少,其荧光寿命也在减少。通过对TAZ激子的共振能量转移进行分析,得到了TAZ的激子扩散长度、转移速率以及激子扩散系数。（2）建立了以ZnO为电子传输层的倒置OLED的激子弛豫模型,如果由于无辐射通道（例如界面效应）而导致随机游走的激子的寿命缩短,则它们的弛豫将在激子态密度（DOS）的较高状态处停止,并且相应地,辐射发射则必相对于未通过非辐射方式衰减能量的辐射发射在光谱上蓝移。使用MoO₃/NPB/MoO₃梯度结构空穴注入传输体系代替MoO₃后,发光层厚度的改变会带来更大的发光波峰偏移。（3）研究了不同功能层结构以及参数带来的倒置OLED器件的性能及峰值变化。在电子传输层ZnO和发光层TAZ之间插入一层BPhen缓冲层后,延长了激子寿命,器件的波峰出现了红移现象,验证了激子弛豫模型。BPhen厚度为10 nm时,倒置器件的最大辐射度为10.42 mW/cm²（@13 V）,相比5 nm的BPhen器件有25.1%的提升,最大外量子效率为1.21%（@3 mA/cm²）,较5 nm的BPhen器件有33%的提升。（4）探究了使用多空穴传输层带来的器件变化。使用具有较高空穴传输率的TCTA层后,器件的发光波峰可以达到384 nm,最大辐射度为17.2 mW/cm²,为目前报道的紫外OLED的最大辐射度,外量子效率为3.65%。倒置OLED器件的功能层结构及参数的变化可以使器件的发光波峰在369 nm和384 nm之间变化。使用较低空穴传输率的NPB层后,器件表现出现了典型的以NPB层为发光层的蓝光,发光波峰为430 nm。