二维Janus材料是一种新型的二维材料,在纳米电子学、光电子学和自旋电子学领域具有潜在的应用前景。具有本征铁磁性、电偶极矩、谷极化和Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）的二维Janus材料为多功能自旋电子器件的发展提供了新平台。由于界面近邻效应,石墨烯和二维磁性材料构成的二维范德华异质结构将具有许多新奇的物理性质。本论文利用密度泛函理论,系统地研究了二维Janus 2H-VSeX（X=S、Te）单层材料的电子结构和磁性,分析了面内双轴应变、近邻效应、电场和层间距对电子结构和磁性的影响。单层2H-VSeX是具有面内磁各向异性的室温本征铁磁性半导体。考虑自旋-轨道耦合效应（SOC）和面外磁化方向时,单层2H-VSeX具有谷极化现象。由于中心反演对称性破缺,单层2H-VSeX具有自发垂直电偶极矩和DMI。面内双轴应变可以有效地增大单层2H-VSeX的V原子磁矩、谷劈裂值和DMI。上述结果表明在低维自旋电子学和能谷电子学领域,单层2H-VSeX具有潜在的应用前景。由于界面近邻效应,石墨烯/2H-VSeX异质结构中的石墨烯的狄拉克锥打开带隙。考虑SOC和面外磁化方向时,石墨烯/2H-VSeX异质结构中的石墨烯在K和K’点处具有谷极化现象。与纯净的单层2H-VSe Te相比,石墨烯/2H-VSe Te异质结构的谷劈裂值和DMI均增大。电场、层间距和面内双轴应变可以调控石墨烯/2H-VSe Te异质结构的电子结构和磁性。面内双轴应变对石墨烯/2H-VSe Te异质结构的DMI的影响最为显著。另外,降低层间距可以有效地增大石墨烯/2H-VSe Te异质结构中石墨烯的谷劈裂值。这些结果表明在纳米电子学、自旋电子学和能谷电子学领域,二维石墨烯/2H-VSe Te异质结构具有潜在的应用前景。