【摘 要】
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介电膜用于制造各种微、纳米电子器件。近些年,研究人员对非化学计量的氧化硅和氧化锗越来越感兴趣,因为这些材料被大量地应用在忆阻器上。介电膜中的硅或锗纳米晶体是量子点。纳米晶体和非晶半导体纳米团簇的光学性质不同于块状材料的光学性质,其光学性质取决于自身尺寸。为研究材料的量子尺寸效应,在这项工作中使用了[GeO]0.5[SiO]0.5和[GeO]0.5[SiO2]0.5两种类型的锗硅酸盐薄膜,此薄膜通过
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介电膜用于制造各种微、纳米电子器件。近些年,研究人员对非化学计量的氧化硅和氧化锗越来越感兴趣,因为这些材料被大量地应用在忆阻器上。介电膜中的硅或锗纳米晶体是量子点。纳米晶体和非晶半导体纳米团簇的光学性质不同于块状材料的光学性质,其光学性质取决于自身尺寸。为研究材料的量子尺寸效应,在这项工作中使用了[GeO]0.5[SiO]0.5和[GeO]0.5[SiO2]0.5两种类型的锗硅酸盐薄膜,此薄膜通过GeO2和SiO或SiO2粉末的高真空共蒸发,并在冷石英基板上沉积制得,而后将此两种薄膜在炉内和脉冲激光下进行退火从而形成纳米晶体和非晶锗纳米团簇。借助拉曼光谱仪测量并分析,发现初始[GeO]0.5[SiO]0.5薄膜包含非晶锗簇,而初始[GeO]0.5[SiO2]0.5薄膜并不包含此类簇。将薄膜经过较高温度的退火后进行拉曼散射,观察光谱发现无定形纳米团簇的尺寸越小,其结晶温度越高。脉冲激光退火后,在[GeO]0.5[SiO2]0.5薄膜中非晶锗团簇结晶,但[GeO]0.5[SiO]0.5薄膜中的锗簇却并没有结晶。在低温条件下,这两种类型的薄膜中由于缺陷可以在红外范围内检测到光致发光。退火后,由于锗簇的光学跃迁,光致发光的最大值移至长波长区域（1500-1600nm）。但锗纳米晶体的量子尺寸效应尚未在光致发光光谱上被发现,锗纳米晶体的量子尺寸效应这将成为进一步研究的主题。
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